电源零器件选型.doc

零件选用 零件在位置请参考线路图 1·TR1【热敏电阻】 电源启动在瞬间由于C1（一次侧电容短路）导致Lin电流很大，虽然时间很短暂，但是也能对电源产生伤害。所以必须在虑波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Lin在Spec之内（115V/30A,220V/60A）,但是应为热敏电阻也会损耗功率，所以不可以放太大的阻值（否则会影响效率）。 2·VDR1【突破吸收器】【压敏电阻】 当雷电发生时，可能会损坏器件，进而影响电源的正常工作，所以必须在靠AC输入端（FUSE之后）加上突破吸收器来保护电源（一般常用7D471），但是如果有价格上的考虑，可以忽略不装。 3·CY1，CY2【Y-Cap】【Y电容】 Y电容一般分为Y1和Y2电容，若AC Input有FG（3Pin）一般用Y2电容，若AC Input为2Pin（只有L.N）一般用Y1电容，Y1电容与Y2电容的差别除了价格外（Y1电容昂贵）。绝缘等级与耐压（Y1的绝缘等级是Y2的两倍）此电路有FG所以用Y2电容，Y电容会一向EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电极其价格问题，漏电（Leakage）必须符合安规须求（3Pin公司标准为750uA max）。 4·CX1【X-Cap】 X电容 X电容为防止EMI零件，EMI可分为Conduction 及Radiation两部分，Conduction规范可分为FCC part 15J Class B ,CISPR 22 Class B两种，FCC测试频率在450K-30MHz,，CISPR22测试频率在150K-30MHz，Conduction可在以频谱分析来验证，Radiation则必须到实验室验证，X电容一般对低频段（150K-数M之间）的EMI防止有效，一般而言X电容越大，EMI防止效果越好，若X电容在0.22uF以上（包含0.22uF），安规规定必须要有浅放电阻（RX1，一般为1.2M 1/4W）。 5．LF1 EMI防止零件，主要影响Conduction 的中，低频段，设计时必须考虑EMI特性极其温升，以同样尺寸的Common Choke 而言，线圈数越多（相对的线经越细）EMI防止效果越好，但是温升就越高。 6．DB1【整流二极管】 将AC电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器设计所算出的Lin值，可知只要使用1A/600V的整流二极管，因为是全波整流所以耐压只要600V即可。 7．C1【滤波电容】 由C1的大小（电容值）可决定变压器计算中的Vin值，电容量愈大，Vin越高但是价格越高，此部分可在电路中验证Vin是否正确，若输入电压在90V-132V（Vc1电压约最高为190V）。可使用耐压200V的电容，若输入电压在90-264V之间，因Vc1电压最高约为380V，所以必须使用耐压400V的电容。 8．D2【辅助电源二极管】 整流二极管一般常用FR105（1A/600V）或者BYT42M（1A/1000V）两者的主要差别是 耐压不同， Vf不同（FR105=1.2 V,BYT42M=1.4V） 9．R10【辅助电源电阻】 主要用于调整PWM IC的VCC电压，以目前使用的3843而言，设计时Vcc必须大于8. 4V,但是为考虑输出短路的情况，VCC电压不可以设计的太高，以免输出短路时不保护（或者输入的瓦数太大）。 10．C7【辅助电源的滤波电容】 辅助电源的滤波电容，提供PWM IC较稳定的直流电压，一般使用100Uf/25V的电容。 11．Z1【Zener二极管】 当会授失效时保护电路，回授失效时输出电压很高，辅助电源电压相对提高，此时如果没有保护电路，可能会造成零件的损坏，如果在3843 VCC与3843第三脚之间加一个Zener二极管，当回授失效时Zener二极管会崩溃，使得P3脚提前到达1V，以次可以限制输出电压，达到保护零件的目的，Z1值的大小取决与辅助电源的高低，Z1的决定必须考虑是否超过Q1的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料（一般使用1/2W即可） 12．R2【启动电阻】 提供3843第一次启动的路径，第一次启动通过R2对C7充电，以提供3843VCC所需要的电压，R2的阻值较大时，启动时间较长，但是短路时功率瓦数较小，，R2的阻值较小时，启动时间较小，短路时功率瓦数较大，一般使用220K欧。 13．R3，C6，D1【Snubber】 以三个元气件组成Snubber（缓冲器），调整缓冲器的目的，1，当Q1关闭的瞬间有Spike（峰值）产生，调整缓冲器可以确保峰值不会超过Q1发耐压值，2，调整缓冲器可以改善EMI，一般而言D1使用1N4007EMI特性较好，R3使用2W.M.O.电阻较好， C6的耐压值以两端压差为准（一般使用耐压50