模电(李国立)2章习题答案.docVIP

2 半导体三极管 自我检测题 一．选择和填空 1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。 （A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置） 2. NPN和PNP型三极管的区别取决于 D 。 （A．半导体材料硅和锗的不同，B．掺杂元素的不同，C．掺杂浓度的不同，D．P区和N区的位置不同） 3. 三极管的共射交流电流放大系数(定义为IC 变化量（或ΔIC）与IB 变化量（或ΔIB）之比，共基交流电流放大系数(定义为IC 变化量（或ΔIC）与IE 变化量（或ΔIE）之比。已知某三极管的(＝0.99，那么该管的(( 99 。 4. 三极管的ICBO是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；ICEO是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。 5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数(_A_，穿透电流_A_，在IB不变的情况下b-e结电压VBE_ B_。 （ A．增大，B．减小，C．不变） 6．对于同一个三极管来说， A ； B 。（A．小于， B．大于，C．等于） 7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。 （A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变） 8. 已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500