硅掺杂铋自旋耦合体系能级免交叉点在量子计算退相干抑制中的应用研究.docxVIP

 PAGE \* MERGEFORMAT 21 题 目：硅掺杂铋自旋耦合体系能级免交叉点在量子计算退相干抑制中的应用研究 英 文：Research on the application of the energy anti-crossing points of spin-coupling sys stem of Bismuth-doped silicon on the deco herence suppression of quantum computation 院 系：近代物理系 姓 名： 学 号：PB0920318 导 师： 日 期：2013年5月  致谢 对指导老师段昌奎教授给予的指导以及激发态物理与发光实验室的邹冬，方宏威，闻军三位学长提供的帮助和建议，在此一并表示感谢。  中文摘要 在现有量子计算的实现方案中，硅掺杂铋体系具有长退相干时间的突出优点，而且由于铋元素的强电子-核超精细耦合作用，能级跃迁具有免交叉点，可以进一步延长退相干时间。本文的主要内容是关一般的自旋耦合体系退相干机制，以及在跃迁极值点的退相干现象的特殊性质。 Abstract Among the many regimes that aimed at constructing a quantum computer, the bismuth-doped silicon system has a longer decoherence time than other systems. On the other hand ,the strong hyperfine interaction between electron and nuclear lead to a regime named “middle field” where transition anti-crossing points can improve the decoherence time further. This article mainly concentrate on the universial decoherence mechanism of spin-coupled system as well as the special properties of transition extreme point on decoherence.  目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc357543757 第一章 硅掺杂铋自旋耦合体系能级  PAGEREF _Toc357543757 \h 1  HYPERLINK \l _Toc357543758 1.1 硅掺杂铋体系简介  PAGEREF _Toc357543758 \h 1  HYPERLINK \l _Toc357543759 1.2铋的核与电子自旋耦合体系能谱  PAGEREF _Toc357543759 \h 3  HYPERLINK \l _Toc357543760 1.2.1体系的哈密顿量  PAGEREF _Toc357543760 \h 3  HYPERLINK \l _Toc357543761 1.2.2能级的结构特点和跃迁性质  PAGEREF _Toc357543761 \h 4  HYPERLINK \l _Toc357543762 1.2.3跃迁极值点与磁场的关系  PAGEREF _Toc357543762 \h 6  HYPERLINK \l _Toc357543763 第二章 硅-铋自旋耦合体系的退相干机制  PAGEREF _Toc357543763 \h 8  HYPERLINK \l _Toc357543764 2.1退相干现象  PAGEREF _Toc357543764 \h 8  HYPERLINK \l _Toc357543765 2.2铋原子和外界环境的相互作用与退相干  PAGEREF _Toc357543765 \h 8  HYPERLINK \l _Toc357543766 2.2.1相互作用的几种形式  PAGEREF _Toc357543766 \h 8  HYPERLINK \l _Toc357543767 2.2.2在中心自旋体系里的综合作用与退相干  PAGEREF _Toc357543767 \h 9  HYPERLINK \l _Toc357543768 2.2.3宏观