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3. 科技发展自身的需要以电工基础为技术支撑的五个系统 1.通信系统 2.计算机系统 3.控制系统 4.电力系统 5.信号处理系统 6.3 稳压二极管 6.4 晶体管（三极管）—BJT BJT的结构 BJT的特性曲线 4. 温度对晶体管特性的影响 对晶体管输出特性的影响 1. 电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 3. 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 解：波形如解图所示。 作业： 6.8 Sect 三极管各区的作用: 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 发射结加正向电压 集电结加反向电压 三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压 才能起放大作用 外部工作条件： 发射结加正向电压即发射结正偏 集电结加反向电压即集电结反偏 发射区掺杂浓度最高、 基区最薄、掺杂浓度最低 集电结面积最大 内部工作条件： 晶体管的电流放大原理 晶体管具有电流放大作用的外部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE 共发射极放大电路 上页 下页 返回 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 RC B C E Sect EB EC Rb Rc IB IC IE ECEB 共发射极连接： IB = IB’-ICBO IE = IB+IC 输入电流 输出电流 当IB=0时 穿透电流 由IBICBO Sect 三极管的伏安特性 指管子各电极的电压与电流的关系曲线 B是输入电极，C是输出电极，E是公共电极。 Ib是输入电流，Ube是输入电压，加在B、E两电极之间。 IC是输出电流，Uce是输出电压，从C、E两电极取出。 输出特性曲线: IC=f(Uce)?Ib=C 共发射极接法三极管的特性曲线： 三极管输入特性曲线 1. Uce=0V时，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。 2. 当Uce ≥1V时， Ucb= Uce - Ube 0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。 输入特性曲线分三个区 ② 非线性区 ① 死区 ③ 线性区 ① ② ③ 正常工作区，发射极正偏 NPN Si: Ube= 0.6~0.8V PNP Ge: Ube= -0.2~-0.3V Sect IB = f (UBE ) UC E = 常数 三极管输出特性曲线 IC=f(Uce)?Ib=C 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区域内Uce的数值较小，一般Uce＜0.7V(硅管)。 发射结正偏，集电结正偏 (2) Uces=0.3V左右 截止区：——Ib=0的曲线下方的区域 Ib=0 Ic=Iceo NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 通常该区：发射结反偏，集电结反偏。 输出特性曲线可以分为三个区域: Sect 三极管输出特性曲线 放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 发射结正偏，集电结反偏，电压Ube大于0.7V左右(硅管) 。 (2) Ic=?Ib,即Ic主要受Ib的控制。 (3) ?≈ 判断三极管工作状态的依据： 饱和区: 发射结正偏，集电结正偏 截止区： 发射结反偏，集电结反偏 或： Ube?0.5V（Si) Ube?0.2V（Ge) Sect ① ICM —— 集电极最大允许电流 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应的最大集电极电流 极限参数 当IC＞ICM时，三极管并不一定会损坏。 ② PCM —— 集电极最大允许功耗 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= IC uCE ， Sect ③反向击穿电压 表示三极管电极间承受反向电压的能力 ICM UCEO PCM 由上所述可知: 1 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 1 晶体管三个工作区的特点: 放大区: 截止区: 饱和区: 发射