铜及其氧化物薄膜的磁控溅射法制备及对AP的催化性能研究汇总.pdfVIP

硕士论文 铜及其氧化物薄膜的磁控溅射法制各及对AP的催化性能研究 IIll I IIIll ll Ill IlllLllll 摘 要 Y2062280 近年来，液相法制备过渡金属或过渡金属氧化物应用于催化高氯酸铵(AP)的热 分解已被广泛研究，但用磁控溅射法等物理气相沉积方法制备过渡金属及氧化物薄膜应 用于AP热分解反应的研究还几乎未见报道。 本文以99．99％高纯无氧铜为靶材，采用磁控溅射法制备铜薄膜，随后对其进行氧化 基底材料、溅射功率、溅射压强、沉积时间和氧化温度对铜及氧化物薄膜结构、形貌、 成分和厚度的影响；研究结果表明基底材料会影响薄膜表面晶粒结构的变化；沉积时间 不仅影响薄膜镀层厚度，还可以看出薄膜表面颗粒结构由球形向正八面体结构转变；溅 射压强和溅射功率影响薄膜沉积速率、薄膜表面晶粒粒径和粗糙度的大小；氧化处理温 度的不同造成薄膜的成分、颗粒和粗糙度有明显差异。 将制备的铜及氧化物薄膜以一定比例添加在高氯酸铵中，通过差示扫描量热仪 (DSC)分析不同含量、不同制备条件及不同成分的铜及氧化物薄膜对高氯酸铵热分解 性能的影响，研究表明，铜薄膜对AP的高低温分解阶段都有显著的催化效果，大幅度 降低AP的高低温分解温度，低温分解温度最低降至270。C，高温分解温度最低降至 350。C，特别是，添加铜薄膜时AP低温分解阶段的放热峰尖锐陡直；添加铜价氧化物 563．74J·矿1。 另外，用热质联用仪(TG-MS)检测添加或未添加铜薄膜时AP高低温分解阶段产 膜对AP热分解的催化作用机理。 关键词：磁控溅射法；铜及氧化物薄膜；高氯酸铵；催化性能；热分解 硕士论文 Abstract tothe is usedto transition·metalsor method，which Comparedliquid widely prepare transitionmetaloxidesonthethermal ofammonium decomposition been SO PhysicalVaporDeposition(eg．magnetronsputteringtechnology)hasscarelyreported far． Inthis thinfilmswere form paper,copper prepared99．99％higllpuritycoppertargetby thencalcinedto films．The magnetronsputteringtechnology,and CuxO(x=1，2)thinstructure， andthicknessof thinfilmswerecharacterizeddiffraction Cu X-ray OmD)， morphology by Raman force emission spectrometer(Raman)，Atomi