最新元器件STRESS测试方法.doc

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最新元器件STRESS测试方法

元器件STRESS測試方法 所謂元器件STRESS是指檢查待測元件在特定的工作條件下各參數與其規格比較,還有多少余量(Derating), 元器件STRESS包括四部份: 溫度STRESS,電壓STRESS,電流STRESS,功率STRESS,下面分別進行討論. 溫度STRESS 1. 定義: 溫度STRESS= 結溫度(junction temperature, Tj)是半導體內部接合面處的溫度,但是我們所量測到的溫度都是零件表面(CASE)的溫度(Tc), 傳統的做法是通過零件規格中給出的熱阻θ進行近似的計算得出結溫度Tj: 或 或 Tj: 計算所得到的結溫度. Ta: 零件周圍的環境溫度(零件周圍的具體位置在零件規格中有規定?) Tc: 所測量到的零件表面的溫度. 零件引腳的溫度 環境到結點的熱阻. 零件表面到結點的熱阻 實際損耗功率 的計算方法: A. 二極體: (可從規格中查到, I是實際測量值) 注意: 整流橋之 B. MOSFET: 附錄A 2. 需檢查之零件 電阻: 大於等於2W的高壓功率電阻,熱敏電阻 晶體管: 除SMD以外之所有晶體管 二極體: 塑封二極體以及額定電流大於等於1A的其他二極體 半導體閘流管: 所有半導體閘流管 電容: 所有電解電容 IC: 所有IC 電感: 所有電感 3. 測試條件: 輸入電壓: 高壓/低壓 負載條件: 全重載(包括+5VH,+12VH,+3.3VH)和standby mode ( standby max load) 環境溫度: 25℃/50℃ 4. 點溫注意事項: 遵循原則: 背風面, 靠近熱源, 緊貼所點位置. 製作點溫線接合點端不能有絞線現象, 且長度最好控制在5mm以內. 各種零件所點位置: IC: 點在本體或引腳上(若點在引腳上需進行絕緣) 變壓器: 取掉膠布, 點在最外層線圈上 直接點在線圈上, 若能接觸到鐵芯, 最好與鐵芯及線圈同時接觸. 電容: 直接點在電容頂部或本體中點(點在中點時需將電容外皮去掉) 電阻: 電阻靠近PWB且沒有打KINK時,點在靠近PWB處之本體上,有打KINK就直接點在本體中點上. 具體如圖所示: 5. Derating 零件類型 Derating Factor 零件類型 Derating Factor 繞線電阻,功率電阻, VR PWB-10℃ 晶閘管, SCR, TRIACS 90% 熱敏電阻 最高溫度-30℃(若量測溫度大於PWB最高溫度時,需考量PWB之溫度) 電解電容 90% 貼片電阻 90% IC 90% 二極體 90% 電感,鐵芯 90% 晶體管 90% MOSFET 90% 電壓 STRESS 定義: 電壓STRESS= 2. 需檢查之零件 電阻: 大於等於2W的高壓功率電阻,熱敏電阻 晶體管: 除SMD以外之所有晶體管 半導體閘流管: 所有半導體閘流管 二極體: 塑封二極體以及額定電流大於等於1A的其他二極體 電容: 所有電解電容 MOSFET: 所有 3. 測試條件: 輸入電壓: 高壓 輸出負載: 重載/輕載 環境溫度: 25℃ 工作狀態:穩定狀態和瞬間狀態 瞬間狀態包括以下几點: A:重复開關机(AC ON/OFF) B:某組輸出短路后.,再重复開關机(應對每一組輸出都分別短路,然后找出最差的狀況) C:開机后,重复短路某一組輸出(應對每一組輸出都分別短路,然后找出最差的狀況) 4.數據測量方式: component AC on/off O/P short then on/off AC on the O/P short Normal operation O/P short Vrms Semiconductor MAX MAX MAX MAX * CAP NA NA MAX MAX NA Resistor NA NA NA RMS RMS 總的來說,測量電壓時除了電阻是測量其電壓之RMS值以外,其它都是測量其電壓之MAX值.在測試過程中應將MIN值同時顯示出來,在MAX與MIN值中取絕對值最大的一個. 注意: 在量測瞬間狀態波形時,必須將觸發電平調到可觸發範圍內的最高點.否則,結果會相差很大.如附錄C所示. 5.各零件之電壓量測點 MOSFET: 漏極-源極 三極管: 集電極-發射極 二極管: 反向電壓或(A to K正向電壓) 注意: 測量電壓時.,示波器探棒黑色夾子必須夾地.不能夾在低電位但不是地的位置,那樣可能會引起無輸出或者大電流燒壞示波器探棒.若待測點都不是地,那必須用兩通道相減. 6.Derating 零件類別 Derating Factor 穩定狀態 瞬間狀態 電阻 90% 90%

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