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UESTC 半导体器件的图测方法 PowerPoint 半导体器件的图测方法 内 容 目的 1 实验原理 2 实验内容 3 下次课预习要求 4 一、实验目的 半导体器件的图测方法 1. 了解晶体管图示仪的原理框图。 4. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 2. 熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 3. 掌握二端元器件电压电流关系的图测方法。 5. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。 预习检查： 1、二极管、三极管的伏安特性曲线有什么特点？ 2、二极管、三极管的主要性能参数有哪些？ 3、如何测量半导体器件的伏安特性曲线？ 半导体器件的图测方法 过原点的一条直线: i u 二、实验原理 1、线性电阻元件的VCR特性 o 正向特性: 反向特性: 反向击穿特性 2、二极管的伏安特性曲线 i u o 二、实验原理 3、三极管的伏安特性曲线 二、实验原理 共射输入特性曲线： UCE=1V UCE=10V iB uBE o 以输出口电压uCE为参变量，反映iB和uBE的函数关系。 2、三极管的伏安特性曲线 二、实验原理 共射输出特性曲线: 以输入口电压iB 为参变量，反映iC和uCE 的函数关系。