半导体雷射之失效(Degradation)分析.docVIP

--半導體雷射的衰減— 班級：物四乙 姓名：陳麒生 學號：8522016 指導教授：郭艷光 教授 目 錄 一、前言(1) 活性區的缺點結構；(2) 在高能密度下的鏡面突然損壞；(3) 局限電流介面的縮減。雷射二極體在高入射電流密度下操作會產生高能量的電子和電洞、熱陡度(thermal gradient)、應變場的差值改變、及在活性區的高非放射復合率。這些因素都可以造成單一缺陷的移動、倍增、及成長成一團的缺陷，且都可以很明顯的造成雷射性能的衰減。 雷射產生突然的衰減是因為鏡面損壞通常發生在脈沖及高能量的操作。這些晶體的表面是有缺陷的晶格，含有許多可以吸收空氣中雜質的懸空鍵。這些從缺陷處所吸收的雜質會造成過度的光學吸收。當雷射平面的光學強度超過必然的臨界值，侷限在鏡面的熱會大到足夠造成鏡面熔化，並因此損壞鏡面。 折射導向隱藏式異質結構雷射(index-guided buried-heterostructure lasers)使用反偏壓連結以局限電流到達活性區。在正常操作的老化過程，缺陷會在局限電流的介面產生，以減少介面局限電流到達活性區的能力。而觀察到的臨界電流增加可能是由於漏電流的增加。 活性區內的缺陷結構 電子和電洞的高密度復合及可能出現的應變和熱陡度都會造成缺陷在雷射的活性區形成。而一般被觀察到的缺陷結構是暗點缺陷(dark spot defect)和暗線缺陷(da