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4.1 载流子的漂移运动与迁移率 欧姆定律 电流在材料内部分布不均： 电流密度——单位长度的材料在垂直于电流方向单位截面积的电流 二、漂移速度与迁移率 在外场E的作用下，半导体中电子(空穴)要逆(顺)电场方 向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 三、半导体的电导率和迁移率 通常用(Jn)drf和(Jp)drf分别表示电子和空穴漂移（drift）电流密度，那么半导体中的总漂移电流密度为 n型半导体 np p型半导体 pn 本征半导体 n=p=ni §4.2 载流子的散射 其它因素引起的散射 Ge、Si晶体因具有多能谷的导带结构，载流子可以从一个能谷散射到另一个能谷，称为等同的能谷间散射，高温时谷间散射较重要。 低温下的重掺杂半导体，大量杂质未电离而呈中性，而低温下的晶格振动散射较弱，这时中性杂质散射不可忽视。 强简并半导体中载流子浓度很高，载流子之间也会发生散射。 如果晶体位错密度较高，位错散射也应考虑。 通常情况下，Si，Ge元素半导体的主要散射机构是电离杂质散射和长声学波散射；而GaAs的主要散射机构是电离杂质散射、长声学波散射和光学波散射。 §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 小结 低温和重掺杂时，电离杂质散射主要; 高温和低掺杂时，