最新电力电子器件及其驱动保护教学课件PPT.ppt

* 擎住效应或自锁效应： IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 反向偏置安全工作区（RBSOA） 正偏安全工作区（FBSOA） 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。 ——NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 2.7.4 IGBT的主要参数 * 2.8 GTO、GTR、MOSFET、IGBT驱动与保护 2.8.1 电力电子器件驱动电路概述 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 2.8.3 电力电子器件的保护 * 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。 对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 驱动电路的基本任务： 按控制目标的要求施加开通或关断的信号。 对半控型器件只需提供开通控制信号。 对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 2.8.1 电力电子器件驱动电路概述 * 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用由发光二极管和光敏晶体管组成的光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 图2-36 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 2.8.1 电力电子器件驱动电路概述 * 按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。 按开关信号频率，可分为低频信号驱动型和高频信号驱动型 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 分类 2.8.1 电力电子器件驱动电路概述 * 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 (1) GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似。但对触发前沿的幅值和陡度的要求高 ,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流 GTO关断控制需施加负门极电流。对其幅值和陡度的要求更高，幅值需达阳极电流的1/3左右，陡度需达50A/μs , 强负脉冲宽度约 30μs，负脉冲总宽约10μs ,关断后还应在门阴极施加约 5V 的负偏压，以提高抗干扰能力 图2-37 推荐的GTO门极电压电流波形 1) 电流驱动型器件的驱动电路 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 * 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。 目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 图2-38 典型的直接耦合式GTO驱动电路 该电路的电源由高频电源经二极管整流后提供，二极管VD1和电容 C1 提供 +5V 电压，VD2、VD3、C2、 C3 构成倍压整流电路提供＋15V 电压，VD4 和电容 C4 提供 –15V 电压。场效应管 Vl 开通时，输出正强脉冲；V2 开通时输出正脉冲平顶部分；V2 关断而 V3 开通时输出负脉冲；V3 关断后电阻 R3 和R4 提供门极负偏压。 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 * 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 驱动电流的前沿上升时间应小于1μs，以保证能快速开通和关断。 t O i b 图2-39 理想的GTR基极驱动电流波形 (2) GTR 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 * GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 图2-40　GTR的一种驱动电路 二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。 C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 * 电力MOSFET和IG