电压传输特性曲线.ppt

2) 理想二极管 1） 单向限幅电路 正向限幅电路如图5.15（a）所示。假设输入电压 是峰值为10V的正弦波，限幅电压 。 输出电压波形如图5.15（b）所示。 1．半导体三极管的工作原理 晶体管能实现电流放大，除上述内部结构上的特点之外，还必须有一定的外部条件，这就是对发射结必须加正向偏置电压，以利于发射区多数载流子向基区扩散；对集电结必须加反向偏置电压，以利于基区少数载流子被拉到集电区。 1） 发射区向基区注入电子 在图5.19中，由于发射结正偏，发射结的内电场被削弱，有利于该结两边半导体中多子的扩散。因此发射区的多数载流子电子不断扩散到基区，形成 发射极电流IE，其方向与电子的运动方向相反，如图5.19中 空心箭头所示。与此同时，基区的多子空穴也要向发射区扩散，但是，由于基区掺杂浓度很低，所以空穴电流很小，与电子电流相比可忽略不计。 2） 电子在基区的扩散与复合 由发射区注入基区的电子成为基区内的少数载流子，为了 将这部分少子和基区内原有的在一定温度下浓度处于平衡状态的平衡少子相区别，常把它称为非平衡少子。 非平衡少子的大量注入，使得基区内少子的浓度分布发生变化，靠近发射结的区域内电子浓度最高，靠近集电结的 区域内电子浓度最低，因而形成了浓度差，于是由发射区来的电子将在基区内源源不断地向集电结扩散。 另外，由于基区做得很薄，而且掺杂很少，因而电子在 扩散过程中只有极小的一部分与基区中的多子空穴相遇而复合，绝大部分电子将扩散到达集电结。 3） 集电极收集从基区扩散进来的电子 因集电结处于反向偏置，其内电场被加强，有利于集电结两边半导体中少子的漂移运动。从发射区扩散到基区的电子已成为基区中的少数载流子，它们在集电结电场的作用下漂移到集电区，为集电极所收集，流出管外，形成集电极电流。 4） 集电极的反向饱和电流 在反向电压的作用下，基区中由本征激发产生的少子电子和集电区的少子空穴将漂移过集电结而形成反向漂移电流，称为集电极和基极间的反向饱和电流, 它的数值很小，但受温度影响较大。 需要特别指出的是： 功率放大不是反映能量放大，输出信号功率不是由输入端信号源提供，而是由输出回路的直流电源提供的。晶体管放大作用的本质是用小信号去控制大信号，用小功率控制大功率。 1） 截止区（关特性） 一般把输出特性曲线上IB=0那条曲线以下的区域称为截止区（参见图5.22）。在截止区，管子的外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置，即UBE0，UCE0，如图5.23所示。 2）饱和区（开特性） 在图5.22中，特性曲线靠近纵坐标轴的区域称为饱和区，此时UCE0.7V，发射结处于正向偏置，因为UCB = UCE ?UBE0，所以集电结也处于正向偏置。 3）放大区（放大特性） 输出特性曲线近于水平部分的区域是放大区，一般UCE 1V。在放大区，外加电压使发射结正偏，集电结反偏，IC 基本与UCE 无关，但受基极电流IB 的控制， ，晶体管表现为受控恒流特性。 在模拟电路中，晶体管应工作在放大区，作为放大元件。 而在数字电路中，晶体管工作在截止区和饱和区，作为开关元件。 5.3.4 半导体三极管的主要参数 晶体管的参数是用来评价晶体管质量优劣和选用晶体管的依据。晶体管的参数很多，这里只介绍常用的主要参数。 1．电流放大系数 2．极间反向电流 3．极限参数 1．电流放大系数 发射极电阻Re的接入，虽然带来了稳定工作点的好处，但是，Re的负反馈作用同样会对输出交流信号（iC）起作用，使输出信号减小，电压放大倍数下降。 为了在稳定静态工作点的同时，又要保证电压放大倍数不下降，可在发射极电阻Re上并联容Ce，并使Ce足够大（一般约为几十至几百微法拉）。 3．电容Ce的作用 电容Ce对直流可看成开路，故Ce的接入不影响静态工作点。Ce 对交流信号起短路作用，使 Re 不再对交流信号产生负反馈作用，从而保证电压放大倍数不变。 由于电容 Ce 使发射极与地之间交流短路，故称电容 Ce 为发射极旁路电容。 1）静态工作点的计算 静态工作点的计算如下 4．电路的计算 若接入旁路电容Ce，则图7.16放大电路的微变等效电路如图7.17所示。 2）电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算 图7.17 接Ce时的微变等效电路 （2）静态时的集电极电流IC要比集电极交流分量iC的幅值Icm与集电极-发