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2018-05-02 发布于贵州
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MW7IC930GNR1;MW7IC930NBR1;MW7IC930NR1;中文规格书,Datasheet资料12.pdf

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MW7IC930GNR1;MW7IC930NBR1;MW7IC930NR1;中文规格书,Datasheet资料12

Freescale Semiconductor Document Number: MW7IC930N Technical Data Rev. 1, 10/2010 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers MW7IC930NR1 The MW7IC930N wideband integrated circuit is designed with on--chip MW7IC930GNR1 matching that makes it usable from 728 to 960 MHz. This multi--stage MW7IC930NBR1 structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation. Driver Application ó 900 MHz • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 728--768 MHz, 920--960 MHz, 106 mA, IDQ2 = 285 mA, Pout = 3.2 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, 3.2 W AVG., 28 V Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% SINGLE W--CDMA Probability on CCDF. RF LDMOS WIDEBAND G PAE ACPR INTEGRATED POWER AMPLIFIERS ps Frequency (1) (dB) (%) (dBc) 920 MHz 36.6 16.1 --48.0 940 MHz 36.8 16.7 --48.7 CASE 1886--01 TO-