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2018-05-02 发布于贵州
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TPC8114资料5

TPC8114 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) TPC8114 Lithium Ion Battery Applications Unit: mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.1 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs | = 47 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 µA (max) (VDS = −30 V) • Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit JEDEC ― Drain-source voltage VDSS −30 V JEITA ― Drain-gate voltage (RGS 20 kΩ) VDGR −30 V Gate-source voltage VGSS ±20 V TOSHIBA 2-6J1B DC (Note 1) ID −18 Weight: 0.080 g (typ.) Drain current A Pulse (Note 1) IDP −72 Drain power dissipation (t 10 s) PD 1.9 W (