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2018-05-02 发布于贵州
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ZXMN3A06DN8TA;ZXMN3A06DN8TC;中文规格书,Datasheet资料31.pdf

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ZXMN3A06DN8TA;ZXMN3A06DN8TC;中文规格书,Datasheet资料31

ZXMN3A06DN8 DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V = 30V; R = 0.035 ; I = 6.2A (BR)DSS DS(ON) D DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SO8 • Low on-resistance • Fast switching speed • Low threshold • Low gate drive • Low profile SOIC package APPLICATIONS • DC - DC Converters • Power Management Functions • Disconnect switches • Motor control ORDERING INFORMATION DEVICE REEL TAPE QUANTITY PINOUT WIDTH PER REEL ZXMN3A06DN8TA 7’‘ 12mm 500 units ZXMN3A06DN8TC 13’‘ 12mm 2500 units DEVICE MARKING ZXMN 3A06D Top view ISSUE 2 - OCTOBER 2002 1 / ZXMN3A06DN8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL LIMIT