士兰微SVF12N65规格书(最新版)2.pdfVIP

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2018-05-02 发布于贵州
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士兰微SVF12N65规格书(最新版)2.pdf

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士兰微SVF12N65规格书(最新版)2

SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书 12A 、650V N沟道增强型场效应管描述 SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。特点 ∗ 12A ，650V，R =0.64Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅料管 SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅料管 SVF12N65FG TO-220F-3L SVF12N65FG 无卤料管 SVF12N65K TO-262-3L SVF12N65K 无铅料管 SVF12N65S TO-263-2L SVF12N65S 无铅料管 SVF12N65STR TO-263-2L SVF12N65S 无铅编带版本号：1.7 2012.09.17 共9页第1页士兰微电子 SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数名称符号 SVF12N SVF12N SVF12N SVF12N 单位 65T 65F(G) 65K 65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25°C 12 漏极电流 ID A T =100°C 9 C 漏极脉冲电流 IDM 48