经典全差分运放Fully Differential Folded-cascode OPAMP23.pdfVIP

Fully Differential Folded-cascode OPAMP (一) 电路架构： 1.Design of the biasing circuit: 一开始，可以先设计biasing circuit 。 偏压电路有许多架构，如果采用 wide-swing 和 constant-gm 的合并电路，就必须加入激活电 路。激活电路的设计以不影响偏压电路的正常工作，和低消耗功率为原则。如Fig.1(b)所示， Q18 的W/L 是small，因此Q17、Q18 所吃的静态电流很小，消耗功率也小。 基本的操作原理在JM 的课本里有详细描述。 但要如何inject 激活电路的电流到偏压网络呢？ 让我们来看看Fig.1(a) ，注意其中有两个loop 和其对称性，只要仔细观察，这两个loop 都会 形成正回授。当你用 NMOS 技术设计时，可以将激活电流 inject 到标示点 X 、Y ，以产生 PMOS(Q14、Q9) 的drain 电流。同理，你也可以用PMOS 设计激活电路，当然，电流的injecting point 就不同了。 Rb 值的设计，必须看你要偏压网络流多少电流来计算。算完后可以做仿真，以得到最佳值， 使偏压电流很match 。 Fig.1(a) Fig.1(b) 2.Design of the main amplifier: 由于这个amplifier 是one stage 的设计，gain 会不够，所以必须使用cascode 的架构。又为了 增加output swing，故再把PMOS 给折叠下来，形成folded-cascode ，最后输出是double-ended output 。 先不管fully-differential 架构的优点与应用，我们来看看整个架构的内部行为。 首先必须了解电路的大信号行为，最重要的为slewing。 如Fig.2 所示，其中没加Q11 和Q12 。考虑一个pulse 加在Vin-与Vin+之间，当pulse 由low 到high ，Q1 turn on Q2 turn off ，所以流过Q4 的drain 电流全部流到Q5，并对node X 上 的电容充电，Vout- 的dc 电压会缓缓上升，此即称为positive slewing，slew rate 如下： SR= 另一方面，流经Q10 和Q9 的电流会discharge 在node Y 上的电荷，这个电流由CMFB 所控 制。如果CMFB 够快，negative slew rate(NSR)就能够提高，但与single-ended 的比起来还是 很小。真正的输出讯号应该是Vout-与Vout+ 的差，因此电路的大信号操作速度受NSR 限制。 但怎样才能提高NSR 呢？如果提高输出级的电流，则输入级的电流就必须降低，设为相等 是一个比较简单的作法。所得到的NSR 如下： SR= 这个电路的好处是 gain 比较大。另一种作法是将输入级换成PMOS ，输出级换成NMOS 。 这么做可以把second pole 推到更高的频率，好处是提高操作速度。Fully-differential OPAMP 的设计有很多种，最快速的OP 可以用current mirror 达成，最省功率的OP 可以用class AB 的方式达成。 Fig.2 3.Design of the Common-Mode Feedback(CMFB) circuit: 使用fully-differential OPAMP 设计，有一个最大的缺点，那就是必须加入CMFB 的电路。还 好 CMFB 的面积不大，最重要的考量是速度问题。 一般有两种设计 CMFB 的方式，一种 叫做continuous CMFB，一种叫做switched-capacitor(SC) CMFB 。前者的速度较快，后者的 速度较慢，但几乎不消耗功率，可应用于SC 的电路中。 为何要采用SC 的CMFB 电路呢？ 考虑Fig.3(a) 的电路，其中 Vcm=