带温度保护电路的sige功率晶体管设计-微电子学与固体电子学专业论文.pdf.docxVIP

目录第一章绪论........................................................11.1课题背景.......................................................14.2纵向结构参数的选取............................................324.2.1集电区外延层电阻率（掺杂浓度）的确定.......................324.2.2基区参数的选取.............................................334.2.3集电区厚度的选取...........................................334.2.4发射极厚度和浓度的选取.....................................334.3横向结构参数的选取............................................344.3.1发射极条的选取.............................................344.3.2基区的面积选取.............................................344.4版图设计......................................................35第五章SiGe管热保护电路设计仿真395.1热保护电路的组成..............................................395.2热保护电路的分析..............................................415.2.1弱反型区CMOS管温度传感器415.2.2电流镜.....................................................425.2.3使能输入结构...............................................435.2.4迟滞MOS管MP12 445.2.5比较器.....................................................455.3电路仿真分析..................................................485.3.1比较器分辨率的仿真.........................................495.3.2比较器开环频率仿真.........................................505.3.3比较器传输时延仿真.........................................525.3.4热保护电路整体的仿真.......................................54第六章结束语.....................................................58致谢.............................................................59参考文献...........................................................60攻读硕士期间取得的研究成果.........................................62第一章绪论1.1课题背景目前工业硅(Si)集成电路的特征尺寸已达Si集成技术的发展已接近其物理极限，因此深入研究在纳米尺度下的各种量子力学效应和新的器件原理，开发新一代纳米量子器件，并以此构筑新的单元电路是信息科学持续高速发展的前提。而使用性能优于Si 的新型半导体材料可以延长目前集成电路发展的寿命，即可用相同水平的工艺技术，获得高于Si 器件及电路的性能，SiGe 异质结就属于这类技术。由Si 和SiGe 组成的量子阱中，载流子具有更高的迁移率。而在异质结双极晶体管(HBT)器件中，由于Si 与SiGe 价带边的失配，可获得很高的电流增益。由于其成本低廉，工艺容易且和目前很成熟的Si工艺兼容，有利于产业化，更受到企业界的偏爱。SiGe晶体管放大虽然有很多优点，但长期以来，电流集中现象一直是影响其可靠性，制约其使用寿命的关键问题。特别是半导体器件尺寸不断缩小，电流密度不断增加，现行SOI（Silicon-on-insulator）技术不断采用和介质在器件（深槽）隔离技术中的应用，均使热阻不断增加，进而加