官方说明书FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书.pdfVIP

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官方说明书FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书.pdf

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官方说明书FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书

FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET Manual /file/2685910 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2685910 0 6 N April 2000 4 2 A TM Q QFETQFET F QFETQFET FQA24N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 23.5A, 600V, RDS(on) = 0.24 Ω @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 110 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 56 pF) This advanced technology has been especially tailored to • Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching • 100% avalanche tested performance, and withstand high energy pulse in the • Improved dv/dt capability avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power