官方说明书INFINEON IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G 数据手册.pdf

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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书INFINEON IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G 数据手册

IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G ® OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V DS 100 V • N-channel, normal level R DS(on),max (TO252) 49 mΩ • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) I D 20 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G Package PG-TO263-3 PG-TO252-3 PG-TO262-3 PG-TO220-3 Marking 50CN10N 49CN10N 50CN10N 50CN10N Maximum ratings, at Tj =25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Value Unit Continuous drain current I D T C=25 °C 20 A T C=100 °C 14 Pulsed drain current2) I D,pulse T C=25 °C