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官方说明书HYNIK HY29F080 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HYNIK HY29F080 8 Megabit (1M x 8) 5 Volt-only Flash Memory
/file/2620609
From ManualL
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查询HY29F080供应商
HY29F080
8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
KEY FEATURES
5 Volt Read, Program, and Erase Sector Group Protection
– Minimizes system-level power – Sectors may be locked in groups of two to
requirements prevent program or erase operations
High Performance within that sector group
– Access times as fast as 70 ns Temporary Sector Unprotect
Low Power Consumption – Allows changes in locked sectors
– 15 mA typical active read current (requires high voltage on RESET# pin)
– 30 mA typical program/erase current Internal Erase Algorithm
– 5 µA maximum CMOS standby current – Automatically erases a sector, any
Compatible with JEDEC Standards combination of sectors, or the entire chip
– Package, pinout and command-set Internal Programming Algorithm
compatible with the single-supply Flash – Automatically programs and verifies data
device standard
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