官方说明书ST STGB3NB60SD 数据手册.pdf

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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ST STGB3NB60SD 数据手册

ST STGB3NB60SD handbook /file/2715906 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2715906 查询STGB3NB60SD供应商 STGB3NB60SD 2 N-CHANNEL 3A - 600V D PAK Power MESH™ IGBT TYPE VCES VCE(sat) Ic STGB3NB60SD 600 V 1.5 V 3 A HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN) VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat) HIGH CURRENT CAPABILITY 3 OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT 1 INTEGRATED FREEWHEELING DIODE 2 D PAK 2 SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263) TO-263 POWER PACKAGE IN TAPE REEL (suffix“T4”) (SUFFIX “T4”) DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed IN