LPCVD设备的高精度串级温度控制系统.docVIP

LPCVD设备的高精度串级温度控制系统 宋玲，廖炼斌，张勇，罗卫国 （中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南 长沙 410111） 1 引言 低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD）设备主要用于集成电路圆片制造中生长多层布线层间绝缘膜（SiO2膜）、电容器介质膜（Si3N4膜）和栅电极材料（Poly－Si膜）的制备，是微电子、光电子行业芯片制造过程中薄膜制备不可缺少的关键工艺设备之一。随着LPCVD技术的不断发展，现已广泛应用于微电子机械系统（MEMS）、微光机电系统（MOEMS）、太阳能电池等行业的研究和生产。 影响LPCVD工艺的参数较多，温度是其关键参数之一。随着圆片尺寸的增大以及对膜厚均匀性的要求越来越高，特别是新器件新工艺的发展，对控温精度要求越来越高，许多工艺要求温度均匀性在760mm范围≤±0.5，稳定度24h内≤±0.5，传统的炉膛侧壁单点控温系统已无法满足要求，本文主要介绍了一种用于LPCVD设备中的高精度温度控制系统，该系统对加热部件和负载同时进行监控，形成串级控制，炉温过冲小，稳定快，控制精度高，此系统也可用于其他半导体设备（如退火炉、氧化/扩散炉等）的高精度温度控制。 2 设备原理及构成 LPCVD的基本原理是将一种或数种物质的气体，在低气压条件下，以热能的方式激活，发生热分解或化学反应，在衬底表面淀积所需的固体薄膜。设备由电阻加热炉、石英反应管、净化推舟机构、真空和压力控制、流量和温度控制、安全联锁保护、计算机控制等部分构成，其设备系统框图见图1。 3 温度控制系统的分析与设计 3.1 控制对象特性 温度为恒值控制系统[1]。LPCVD设备采用电阻加热炉，对温度的影响主要来自以下几个方面： （1）电网电压的波动会引起加热电流的波动，影响炉膛的温度。实践测出，电网电压改变10V，炉膛温度大约变化50左右； （2）当放满硅片的推舟进出炉膛时（10min左右），炉膛温度波动100－200。 （3）LPCVD工艺中气流要求为层流，但有时会出现湍流或局部漩涡，从而引起局部温度波动。 由于电压波动、负载波动、装载和工艺气体流动状态都对温度产生了较大的影响，传统的单回路控制系统无法同时对这些变化进行监测和控制，若要获得较好的控制效果，就必须采用更复杂的串级控制。 3.2 控制系统设计 所谓串级控制系统一般由主、副两个回路构成，被控量的反馈形成主回路，另外一个对被控量起主要影响的变量选做辅助变量形成副回路[2]。串级控制与多回路的区别在于副回路的给定值不是常量，而是变量，它的变化情况由被控量通过主调节回路来自动校正。 LPCVD设备采用电阻炉加热，共分三个温区，其温度串级控制系统见图2，置于炉壁处的外热偶（A、B、C）、副PID、触发电路以及功率部件组成副回路，用来控制炉丝加热电流的大小，而置于炉膛内的内热偶（A、B、C）将侧得的温度与设定值比较后，与主PID、副PID、触发电路以及功率部件一起组成主回路，监控炉膛内恒温区的温度变化。 图中内热偶A、B、C均处于加热器的主控段，A、C测出的主控段温度信号与副控加热器外热偶A、C测出的信号进行比较，保证恒温区的精度、长度和高稳定性，同时，为使3组内热偶检测出的温度信号尽量准确，将其在400－1 300的温度下进行严格的校正，使其相互间的偏差5μV之内（即控制在恒温区精度指标的一半内），这对于恒温区精度的保证及恒温区的自动校正至关重要。 由于各组加热器所处位置不同，保温层特性很难保证其一致性；再者，对于不同工艺，温度段的要求也不尽相同；第三，温度在不同的温度段1所对应的微伏值也不同。因此，应对PID参数的优化组合、跟踪运用来配合串级控制，及确保恒温区温度均匀性以及良好的稳定性。 3.3 控制效果分析 引入串级控制后，取得良好的控制效果，其优点为： （1）引入副回路，可改善对象特性，提高系统工作频率，提高控制品质和系统可控性。 将图2控制系统原理图画成系统方框图，见图3。 根据图3的方框图，做出传递函数图见图4。 其中：R1（s）为设定温度的传递函数； R2（s）为主调节器输出值的传递函数； Gc1（s）、Gc2（s）分别为主副调节器的传递函数； Gv（s）为执行机构的传递函数；G01（s）、G02（s）分别为主副控制对象的传递函数；Gm1（s）、Gm2（s）分别为主副变送器的传递函数；N1（s）、N2（s）分别为一次干扰和二次干扰的传递函数； 假设副回路中各环节传递函数分别为： 将图3中副回路反馈信号相加点由副调剂器前向后移至副对象之前，经简化，可得出其等效副对象为： 因此，在此控制系统中，等效副对象的时间常数和放大倍数都缩小了，而且随着副控放大倍数Kc2整定得越大，等效副对象的放大倍数和时间常