官方说明书ST VND810MSP-E 数据手册.pdfVIP

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官方说明书ST VND810MSP-E 数据手册

ST VND810MSP-E handbook /file/2713315 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2713315 VND810MSP-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER Table 1. General Features Figure 1. Package Type RDS(on) Iout VCC VND810MSP-E 150 mΩ (*) 0.6 A (*) 36 V (*) Per each channel ■ CMOS COMPATIBLE INPUTS ■ OPEN DRAIN STATUS OUTPUTS ■ ON STATE OPEN LOAD DETECTION ■ OFF STATE OPEN LOAD DETECTION 10 ■ SHORTED LOAD PROTECTION ■ UNDERVOLTAGE AND OVERVOLTAGE 1 SHUTDOWN PowerSO-10™ ■ PROTECTION AGAINST LOSS OF GROUND ■ VERY LOW STAND-BY CURRENT ■ REVERSE BATTERY PROTECTION (**) ■ IN COMPLIANCE WITH THE 2002/95/EC EUROPEAN DIRECTIVE Active current limitation combined with thermal DESCRIPTION shutdown and automatic restart protects the The VND810MSP-E is a monolithic device device against overload. The current limitation designed in STMicroelectronics VIPower M0-

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