传感器11-12-4-光电式传感器.ppt

主要内容 4.1 概述 4.2 外光电效应 4.3 内光电效应 4.4 阻挡层光电效应 主要内容 4.1 概述 4.2 外光电效应 4.3 内光电效应 4.4 阻挡层光电效应 主要内容 4.1 概述 4.2 外光电效应 4.3 内光电效应 4.4 阻挡层光电效应 主要内容 4.1 概述 4.2 外光电效应 4.3 内光电效应 4.4 阻挡层光电效应 2.光敏二极管的基本特性 （1）光谱特性 在入射光强度一定时，输出的相对灵敏度随光波波长的变化而变化。一种光敏二极管只对一定波长的入射光敏感，这就是它的光谱特性。如图所示。 一般来讲，锗管的暗电流较大，性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体是一般都用硅管。 4.1 概述（了解） 4.2 外光电效应（掌握原理，理解基本特性） 4.3 内光电效应（掌握原理，理解基本特性） 4.4 阻挡层光电效应（掌握原理，理解基本特性） * * * * * * * * * * * * * * * * * * 光敏电阻的灵敏度易受湿度的影响，因此要将导光电导体严密封装在玻璃壳体中。如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小，其连线电路如图所示。 RG RL E I 4.3 内光电效应 2.光敏电阻的主要参数和基本特性 （1）暗电阻、亮电阻、光电流 暗电流：光敏电阻在室温条件下，全暗（无光照射）后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流。 亮电流：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流。 光电流：亮电流与暗电流之差。 光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小则性能越好。即暗电流越小，光电流越大，这样的光敏电阻的灵敏度越高。 4.3 内光电效应 （2）伏安特性 在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与光电流之间的关系称为伏安特性。 图中曲线1、2分别表示照度为零及照度为某值时伏安特性。 在给定电压下，光照度较大，光电流也越大。 在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。 50 100 150 200 1 2 U/V 0 20 40 I/ μA 电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。 超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。 4.3 内光电效应 （3）光照特性 在一定外加电压下，光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。 不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。 因此它不宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。 0 1 2 3 4 5 I/mA L/lx 1000 2000 4.3 内光电效应 （4）光谱特性 光敏电阻对不同波长的光，其灵敏度是不同的。 硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在红外区域； 硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。 在选用光敏电阻时，应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。 20 40 60 80 100 40 80 120 160 200 240 λ/μm 3 1 2 相对灵敏度 1——硫化镉 2——硒化镉 3——硫化铅 4.3 内光电效应 （5）响应时间和频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。 响应时间分为上升时间和下降时间。 4.3 内光电效应 （6） 温度特性 温度变化影响光敏电阻的光谱响应。 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线, 它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。 硫化铅光敏电阻要在低温、恒温的条件下使用。 4.3 内光电效应 第四章 光电式传感器原理 阻挡层光电效应：在光线的作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象。 常见的阻挡层光电效应器件有光电池、光敏二极管。 光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 光电池在有光线作用下实质就是电源, 电路中有了这种器件 就不需要外加电源。 4.4 阻挡层光电效应 1. 光电池的结构和工作原理 它是在一块N型硅片上掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两端用导线连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。 I 光 (b) 光电池的工作原理示意图 P