电子技术秦曾煌第一章半导体二极管和三极管.pptVIP

半导体的特点 半导体的优点（与电子真空管相比） 1、体积小，重量轻； 2、耗电省； 3、成本低。 （1）微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 下面介绍两个交流参数（又称动态参数）。 RD= UD / ID iD uD ID UD Q PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd （2）二极管的极间电容 §15.3 稳压二极管 一、工作区域 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - 三、稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 二、工作特点： （1）在反向击穿区处于稳压状态； （2）工作在其它区域与一般二极管相同。 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmian。 （5）最大允许功耗 其它特殊二极管： 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 §15.4 半导体三极管 15.4.1 基本结构 N N P 基极 B E C 发射极 集电极 NPN型 PNP型 基极 B E C P P N 发射极 集电极 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，1um以下，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 结构特点 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 15.4.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE 2 ICE 多子的运动 少子的运动 IB=IBE-ICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数 4 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 15.4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.2~0.3V。 （2）输出特性 * 第十五章 半导体二极管和三极管 第15章 半导体二极管和三极管 §15.1 半导体的基本知识 §15.2 PN结及半导体二极管 §15.3 稳压二极管 §15.4 半导体三极管 缺点： 1、受温度影响大； 2、参数离散。 §15.1 半导体的基本知识 15.1.1 导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 一种物质的导电性能取决于它的载流子密度 （浓度）。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 15.1.2 本征半导体 硅和锗的共价键结构 共价键 共用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子(可以自由移动的电子），因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子，它的导电能力为0。 在常温下，由于热激