二极管参数中英文对照表29.docVIP

二极管参数中英文对照表 文字符号 中文 English IF(AV) 正向平均电流(整流管) mean foreard current (of diode) IT(AV) 通态平均电流 mean on-state current VRSM 反向不重复峰值电压 non-reetitive peak reverse voltage VRRM 反向重复峰值电压 repetitive peak reverse voltage VDSM 断态不重复峰值电压 non-repetitive peak off-state voltage VDRM 断态重复峰值电压 repetitive peak off-state voltage VFM 正向峰值电压(整流管) peak forward voltage (of diode) VTM 通态峰值电压 peak on-state voltage Tjm 最高等效结温 maximum virtual junction temperature F 紧固力 mounting force IRRM 反向重复峰值电流 repetitive peak reverse current IDRM 断态重复峰值电流 repetitive peak of-state current VGT 门极触发电压 gate trigger voltage IGT 门极触发电流 gate trigger current Rjc 结壳热阻 junction-case thermal resistance Qrr 反向恢复电荷 reverse recovery charge ITM 通态峰值电流 peak on-state current IFM 正向峰值电流(整流管) peak forward current (of diode) ITSM 通态浪涌电流 surge on-state current dv/dt 断态电压临界上升率 critical rate of rise of off-state voltage di/dt 通态电流临界上升率 critical rate of rise of on-state current tgt 门极控制开通时间 gate controlled turn-on time tq 电路换向关断时间 cricuit commutated turn-off time IRMS 通态方均根电流 R.M.S. on-state current (dv/dt)c 换向电压临界上升率(双向晶闸管) critical rate of rise of commutating voltage(of bi-directional thyristor) trr 反向恢复时间(二极管的) reverse recovery time (of diode) ton 开通时间 turn on time ts 存储时间 storage time tf 下降时间 fall time 激光二极管参数与原理及应用 　一、激光的产生机理 　　在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，　　一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；　　二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；　　三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。　　自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（这样情况称为离子数反转），才能发出激光。　　产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激活物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回