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官方说明书NEC NE85001 SERIES 数据手册
NEC NE85001 SERIES handbook
/file/2667769
From ManualL
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PRELIMINARY DATA SHEET
查询NE500100供应商
GaAs MES FET
NE85001 SERIES
1 W C-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator
applications and so on.
NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.
The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device
has a PHS. (Plated Heat Sink)
NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
PHYSICAL DIMENSIONS
FEATURES 146
170
NE8500100 (CHIP) (unit: µ m)
• Class A operation
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