官方说明书ON SEMICONDUCTOR MBRD1035CTL 数据手册.pdfVIP

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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ON SEMICONDUCTOR MBRD1035CTL 数据手册.pdf

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官方说明书ON SEMICONDUCTOR MBRD1035CTL 数据手册

MBRD1035CTL SWITCHMODE Schottky Power Rectifier DPAK Power Surface Mount Package The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency SCHOTTKY BARRIER switching power supplies, free wheeling diode and polarity protection RECTIFIER diodes. 10 AMPERES Features 35 VOLTS • Highly Stable Oxide Passivated Junction • Guardring for Stress Protection 1 • Matched Dual Die Construction − 4 May be Paralleled for High Current Output 3 • High dv/dt Capability • Short Heat Sink Tap Manufactured − Not Sheared • Very Low Forward Voltage Drop 4 • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in • Pb−Free Packages are Available 1 2 3 Mechanical Characteristics: • Case: Epoxy, Molded DPAK CASE 369C • Weight: 0.4 Gram (Approximately) • Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal L