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官方说明书ON Semiconductor MCR12D, MCR12M, MCR12N 数据手册
ON Semiconductor MCR12D MCR12M MCR12N handbook
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Preferred Device
Reverse Blocking Thyristors
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as
motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever
half–wave silicon gate–controlled devices are needed.
• Blocking Voltage to 800 Volts
• On–State Current Rating of 12 Amperes RMS at 80°C SCRs
• High Surge Current Capability — 100 Amperes 12 AMPERES RMS
• Rugged, Economical TO220AB Package
400 thru 800 VOLTS
• Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformity
• Minimum and Maximum Values of IGT, VGT an IH Specified for
Ease of Design G
A K
• High Immunity to dv/dt — 100 V/µsec Minimum at 125°C
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MCR12D, Dat
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