官方说明书ON Semiconductor NTMD6N03R2 数据手册.pdfVIP

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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ON Semiconductor NTMD6N03R2 数据手册.pdf

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官方说明书ON Semiconductor NTMD6N03R2 数据手册

ON Semiconductor NTMD6N03R2 handbook /file/2682063 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2682063 查询NTMD6N03R2供应商 30 V, 6 A, Dual N−Channel SO−8 Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ) VDSS RDS(ON) TYP ID MAX • Miniature SO−8 Surface Mount Package Saves Board Space 30 V 24 mΩ @ VGS = 10 V 6.0 A • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits • Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery N−Channel Applications D D • Dc−Dc Converters • Computers • Printers G G • Cellular and Cordless Phones • Disk Drives and Tape Drives S S MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)