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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ROHM RUC002N05 说明书.pdf

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官方说明书ROHM RUC002N05 说明书

1.2V Drive Nch MOSFET RUC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SST3 SOT-23 Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol : RH Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T116 Basic ordering unit (pieces) 3000 RUC002N05  ∗1 ∗2 Absolute maximum ratings (Ta = 25C) (2) (1) Parameter Symbol Limits Unit (1) SOURCE (2) GATE ∗1 BODY DIODE Drain-source voltage VDSS 50 V (3) DRAIN ∗2 ESD PROTECTION DIODE Gate-source voltage VGSS 8 V Continuous ID 200 mA Drain current Pulsed IDP *1*1 800 mA Source current Continuous