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官方说明书SI IS41C16256 IS41LV16256 数据手册
SI IS41C16256 IS41LV16256 handbook
/file/2696930
From ManualL
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查询IS41C16256供应商
IS41C16256
IS41LV16256
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM
WITH EDO PAGE MODE
FEATURES DESCRIPTION
The ICSI IS41C16256 and IS41LV16256 is a 262,144 x 16-
• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memo-
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O ries. The IS41C16256 offer an accelerated cycle access
• Refresh Interval: 512 cycles /8 ms called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random
• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), accesses within a single row with access cycle time as short
Hidden as 10 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and
• Single power supply: lower byte, makes the IS41C16256 ideal for use in
5V ± 10% (IS41C16256) 16-, 32-bit wide data bus systems.
3.3V ± 10% (IS41LV16256)
These features make the IS41C16256and IS41LV16256 ideally
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS suited for high-bandwidth
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