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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ST STL8NH3LL 说明书

ST STL8NH3LL Manual /file/2616479 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2616479 STL8NH3LL N-CHANNEL 30 V - 0.012 Ω - 8 A PowerFLAT™ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET™ MOSFET PRELIMINARY DATA Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VDSS RDS(on) ID (1) STL8NH3LL 30 V 0.015 Ω 8 A TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω @ 10V IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX) VERY LOW THERMAL RESISTANCE VERY LOW GATE CHARGE LOW THRESHOLD DEVICE PowerFLAT™(3.3x3.3) (Chip Scale Package) DESCRIPTION This application specific MOSFET is the lastest generation of STMicroelectronics unique “STripFET™” technology. The resulting transistor is optimized for low on-resistance and minimal Figure 2: Internal Schematic Diagram gate charge. The Chip-scaled PowerFLAT™ pack- age allows a significant board space saving, still boosting the performance. APPLICATIONS CONTROL FET IN BUCK CONVERTER TOP VIEW Table 2: Order Codes Part Number Marking Package Packaging STL8NH3LL L8NH3LL PowerFLAT™ (3.3x3.3) TAPE REEL Rev