官方说明书东芝 TPD7102F 说明书.pdfVIP

TPD7102F 東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路 TPD7102F 1 出力ハイサイド n-ch パワーMOS FET ゲートドライバ TPD7102F は1ch のハイサイドスイッチ用n-ch パワーMOS FET ゲートド ライバです。チャージポンプ回答を内蔵しており、大電流アプリケーションの ハイサイドスイッチを容易に構成することができます。 特 長 チャージポンプ回路を内蔵しています。 外付けパワーMOSFET のゲート・ソース間電圧診断機能を内蔵していま す。 外囲器は小型、面実装タイプPS-8 で梱包形態はエンボステーピングです。 SON8-P-0303-0.65 質量: 0.017g (標準) ピン接続 現品表示 製品名 (または略号) DIAG ① ⑧ VDD D7102 ロット表示 ENB ② ⑦ OUT1 IN ③ ⑥ OUT2 GND ④ ⑤ SOURCE ・正面から見てマーク左下のドット(●)が 1 番端子を示して います。 （TOP VIEW） ※ ロット No.表示説明 3 桁の算用数字で構成する。 製造週コード：1 月第 1 木曜の週を第 1 週 01 とし、以降 52 または 53 まで 製造年コード：西暦の末尾 1 桁 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別 に必ず弊社営業窓口までお問合せください。 RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質 の使用制限(RoHS)に関する 2003 年 1 月 27 日付けの欧州 議会および欧州理事会の指令(EU 指令 2002/95/EC)」のこ とです。 * この製品はMOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。 1 2010-06-07