电晶体的电流放大作用.ppt

?射極特性曲線：在一組IB值之範圍內，VEC對 IE的一組曲線。 ?三個工作區域 指IB=0之曲線上方及VEC=VEC(sat) 的垂直線右側部分。 電晶體的B、E接面為順向偏壓，而C、B接面則為逆向偏壓。 被用來電流放大或當作緩衝器之用。 A.作用區 節目錄 B.截止區 IB=0時，IE≠0。 電晶體的B、E與C、B接面均為逆向偏壓。 為了得到線性放大，此區域應該避免使用。 電晶體是截止的，相當於開路，可當開關（ OFF ）使用。 指VEC=VEC(sat)的左邊部分。 電晶體的B、E與C、B接面均為順向偏壓。 電晶體是飽和的，相當於短路，可當開關（ ON ）使用。 C.飽和區 節目錄 ?IB隨著|VBC|之增加而增加。 ?|VEC|的變化不致造成特性曲線有大的遷移。 (3)輸入（基極）特性曲線 節目錄 (4)電路特性 節目錄 ≒1 ?Ri很高，Ro很低。 ?電流增益 ?電壓增益 ?功率增益 ?Vo與Vi同相位。 ?用途 適合高阻抗訊號源與低阻抗負 載間的阻抗匹配。 當作緩衝器。 節目錄 (5)電晶體三種基本組態的特性比較 節目錄 (6)Ai、Av、Ap、Ri、Ro依大小次序，經整理為 節目錄 1.截止狀態 4-5　電晶體之開關作用 ………………………………………………………………………….… (1)電晶體有三個工作區，當工作在截止區與飽和區時，其功用有如一電子開關。(2)當Vi=0V時， VBE=0V ，則IB=0A ， IE=IC=0A， VCE(cut off)=VCC 節目錄 2.飽和狀態 (1)當Vi=+VBB時， 則電晶體飽和。(2)飽和電流(3) ≒ ≒ (4)產生飽合電流的最小基極電流為：(5)電晶體飽和的必要條件是： 節目錄 延伸推薦影片 影片名稱 連結 電子實作-光控開/watch?v=FcvkM1cj_GQ 半導體：電晶體(一)檢測 /watch?v=MUnajDEApYo 半導體：電晶體(二)構造與功能 /watch?v=oxMQOWV8xKA 三極管電流分配 /watch?v=d3m2QlCFUw0 Transistor (bipolar) - How it works! (Animation) /watch?v=9CrcRabTQ0s How to Identify an PNP or NPN Transistor /watch?v=2vk7JS-0ir0 節目錄 按一下以編輯母片標題樣式 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 * 課本圖檔 第 4 章　雙極性接面電晶體 影 片 4-5 電晶體之開關作用 4-4 電晶體之放大作用 4-3 電晶體組態簡介 4-2 電晶體之工作原理 4-1 雙極性電晶體之構造及特性 第 4 章　雙極性接面電晶體 …………………………………………………………… 4-1　雙極性電晶體之構造及特性 ………………………………………………………………………….… 節目錄 1.電晶體的物理結構及電路符號 (1) 電晶體的三個接腳 ?射極（ E ）：發射載子的電極。 ?集極（ C ）：收集載子的電極。 ?基極（ B ）：控制載子多寡的電極。 (2) 分類 多數載子－電洞 少數載子－電子 多數載子－電子 少數載子－電洞 PNP型 NPN型 節目錄 2.電晶體的物理特性 (1) 摻入雜質的濃度比： (2) 製造寬度比： (3) 射極（ E ）與集極（ C ）對調使用，則增益 下降，耐壓也會下降。 (4) 不可以使用兩個背對背二極體來取代電晶體 ，因為它不具放大作用。 節目錄 4-2　電晶體之工作原理 1.電晶體的偏壓接法 ………………………………………………………………………….… 節目錄 (1) 電晶體的二個PN接面 JE ：射、基極的PN接面 JC：集、基極的 PN接面 (2) 電晶體當放大器使用 JE：施加順向偏壓 JC：施加逆向偏壓 節目錄 (3) 工作原理 空乏區寬度縮小 多數載子自P→N大量 移動（ PNP電晶體） 多數載子流動為零 造成少數載子的流動 E、B順偏 B、C逆偏 節目錄 2.電晶體的電流放大作用 (1) 應用克希荷夫電流定律 IE=IC+IB ?IC約占IE之90~99.8% ?IB約占IE之0.2~