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半导体集成电路 东大微电子中心－沈克强 引言 二、集成度和集成密度 我国集成电路的加工水平现状: (5)《CMOS数字集成电路－－分析与设计》 Sung-Mo Kang 电子工业出版社 * 一、 IC技术的发展 1947年：集成电路元胞——晶体管（在美国贝尔实验室诞生） 1958年：第一块集成电路（在U.S.A德克萨斯仪器公司试制成功） 1960年：SSI开始批量生产 所谓硅平面工艺，是采用光刻技术，在SiO2膜及Al膜上，刻出扩散掺杂区及引线图形，并利用SiO2膜作掩膜进行选择扩散。这种扩散及氧化 光刻 腐蚀方法可在同一硅片上重复制备Diode，transistor…从而开拓了硅集成电路工业化大生产的前景。随着Si-SiO2界面物理研究的不断深入。 初始状态的IC在一片大约几十平方毫米的硅片上集成十几个元器件 1961年：硅平面工艺问世 1964年：MOSFET MOSFET （1）结构简单 （2）制备工艺简化 （3）集成度↑ （4）成品率↑ 逐渐成为LSI 和VLSI器件结构的主流。 MOSFET特点：适合于数字电路，便于集成，功耗低。 Bipolar电路 （1）速度↑ （2）驱动能力强↑ 也得到了相应的发展 其特点：适合于模拟电路、速度快，但结构复杂、功耗大。 80年代末出现的BiCMOS，在工艺上把两种晶体管电路集成在一个芯片上，吸取了两者的优点，功能也大大地得到了扩展。 此外： SOI MOSFET GaAs IC 集成度：每个集成电路芯片所包含的元件数目。 集成密度：每单位面积芯片上集成的元件数目。 一般以每个芯片上的元器件数量来划分它的规模 SSI MSI LSI VLSI 集成度（元件/芯片） 1～100 集成度↑ 成本↓ 可靠性↑ 性能↑ 提高集成度的方法 （1）芯片面积的增大 （2）器件尺寸的缩小 （3）集成效率的提高 特大规模 ULSI 巨大规模 GLSI 鉴于在同样芯片面积的情况下,硅圆片直径越大,其经济‘性能’就越优越，因此硅单晶材料的直径经历了1、2、3、5、6、8英寸的历史进程。 目前,国内外加工厂多采用8英寸和12英寸硅片生产,16和18英寸(450mm)的硅单晶及其设备正在开发之中,预计2016年左右18英寸硅片将投入生产。 ★ ★ ★20世纪80年代中期我国集成电路的加工水平为5微米 ★经历了3、1、0.8、0.5、0.35微米的发展 ★目前达到了0.18—0.09微米的水平 ★当前国际水平为0.045微米（45纳米） ★我国与国际水平相差约为2-3代 三、授课内容 集成电路的基本工艺 集成电路中的晶体管及其寄生效应 集成电路中的无源元件 典型的双极集成电路工艺 MOS集成电路工艺 （以P阱硅栅CMOS为例） 集成双极晶体管的埃伯斯-莫尔(EM模型) 集成双极晶体管的有源寄生效应 集成双极晶体管的无源寄生效应 集成电路中的PNP管 集成二极管 （包括肖特基势垒二极管(SBD)） MOS集成电路中的有源寄生效应 数 字 集 成 电 路 双极型逻辑集成电路 (Bipolar IC) TTL ECL TTL STTL LSTTL MOS逻辑集成电路 E/E MOS(倒相器)电路 E/D MOS(倒相器)电路 CMOS电路 动态MOS电路 COMS倒相器 CMOS传输门 CMOS可控硅效应 CMOS输入输出保护电路 LSI (RAM , ROM , PLA) I2L 模拟集成电路 基本单元电路 集成运算放大器 集成电压比较器,D/A和A/D转换器 差分放大器 恒流源电路和有源负载 基准源电路 模拟开关 四、主要参考书: (1)《半导体集成电路》张廷庆 上海科学技术出 版社 (2)《半导体集成电路》朱正涌 清华大学出版社 (3)《半导体集成电路》东大 国防工业出版社 (4)《VLSI物理学导论》童勤义 电子工业出版社 *