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第二章：晶体中的缺陷与扩散 第一节:晶体中的缺陷 10.09.09 总述 1.缺陷定义---实际晶体与理想晶体相比有一定的偏离或不完美性,把两种结构发生偏离的区域叫做缺陷; 2.缺陷产生的原因---热振动和杂质; 3.研究缺陷的意义---发光,半导体,导电,扩散,烧结等; 4.缺陷的分类---点缺陷,线缺陷和面缺陷 分类方式： 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 点缺陷的表示 面缺陷又称为二维缺陷，如晶界、相界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 定义:亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子） 。 类型:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。 热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加 一、缺陷及种类 晶体的定义是原子或离子在三维空间上的有序排列。在定义上有序是完美无缺的,即正常格点均被相应的粒子占据，所有的填隙位置都是空的。但实际晶体中存在各式各样的缺陷。缺陷有的是原子水平的,有的则是较大尺寸。原子水平的缺陷对晶体的性质和性能会有很大的影响。缺陷的影响既有负面的也有正面的,甚至还人为的引入缺陷从而赋予材料更高的导电性和更强的磁性等。 1.缺陷 2.种类 本章只限于讨论原子水平的缺陷,即微观缺陷包括点缺陷,线缺陷和面缺陷三类。 二、点缺陷(零维缺陷) 材料在加工过程中得到能量产生空穴,或人为导入杂质量,或人为制造合金时 就会产生各类点缺陷。 常见的点缺陷分为:空位,间隙和替代。如图所示。正常的晶体位置缺少原子 就称为空穴。当有外来原子占据正常晶格点中间的间隙位置时，就构成间隙缺 陷。不同原子取代晶格上的原子就形成取代缺陷。 Frenkel缺陷是空穴与间隙缺 陷的组合，即一个离子从正常晶格位置跳入间隙位置。既增加了一个间隙离子 同时留下一个空穴；Schttky缺陷是丢失了一对正、负离子后留下的双空穴。 (a)空穴vacancy；(b)间隙原子interstitial particle ；(c)小取代原子foreign particle；(d)大取代原子；(e)弗仑克尔Frenkel缺陷；(f)肖特基Schttky缺陷 Kroger-Vink提出了一套描写点缺陷的记号，并发展了应用质量作用定律等来处理晶格缺陷间关系的缺陷化学。以MO为例： 空位 Vacancy VM，VO 间隙原子 Interstitial Mi，Oi 错位原子 MO，OM 溶质原子（外来原子）LM，Li 自由电子及电子空穴 e,，h· 带电荷的缺陷 VM,,，VO·· 缺陷方程三原则: 质量守恒, 电荷平衡, 正负离子格点成比例增减。 肖特基缺陷生成：0→VM,,+ VO·· 弗仑克尔缺陷生成： 0→VM,,+ Mi ·· 非计量氧化物： 不等价参杂： 当晶格周期性的破坏是发生在晶体内部一条线的周围近邻，这就称为线缺陷。位错就是线缺陷。 1.刃型位错 刃型位错的位错线与滑移方向垂直。 设想晶体的上部沿ABEF平面向右推移， 原来与AB重合，经过这样的推压后，相对于AB滑移一个原子间距b，EF是已滑移区与未滑移区的交界线，称为位错线。 A B G H E F b 刃型位错 刃型位错 螺旋位错 位错 三、线缺陷(一维缺陷) A B G H E F b (a) H E B B C D (b) (b)图是 (a)图在晶体中垂直于EF方向的一个原子平面的情况。BE线以上原子向右推移一个原子间距，然后上下原子对齐，在EH处不能对齐，多了一排原子。 刃型位错的另一个特征是位错线EF上带有一个多余的半平面，即 (a)图中的EFGH平面，该面在(b)图中只能看到EH这条棱边。 实际晶体往往是由许多块具有完整性结构的小晶体组成的，这些小晶体彼此间的取向有着小角倾斜，为了使结合部分的原子尽可能地规则排列，就得每隔一定距离多生长出一层原子面，这些多生长出来的半截原子面的顶端原子链就是刃型位错。 小角晶界上的刃型位错相互平行。 ? 小角晶界上位错相隔的距离为 b为原子间距，?为两部分的倾角。 2.螺旋位错 如图(a)设想把晶体沿ABCD 平面分为上、下两部分，将晶体的上、下做一个位移，ABCD为已滑移区，AD为滑移区与未滑移区的分界线，称为位错线。 螺旋位错的位错线与滑移方向平行。 (b) (a) (b)图中的B点是螺旋位错线(上下方向)的露出点。晶体绕该点右旋一周，原子平面上升一个台阶(即一个原子间距)，围绕螺旋位错线的原子面是螺旋面。 我们知道金属晶