立碑效应及其改善.pptVIP

* * TOMBSTONE TROUBLESHOOTING **有限公司 FACTORY : **** SMT 姓 名: Great 日 期: 2005**** 立碑形成之力矩原理： Tw L R L Tw T1 T2 T3 T4 T5 T6 R 如左圖所示: 1.立件產生之關鍵力矩在T3及T4 2.T3與T4不均衡才會使元件產生 側向力,進而偏移而立件 而造成T3及T4不均衡之原因為: 1.兩端吃錫效果不一 2.兩端錫量不均 3.兩端拉力產生之時間點差異 4.Tw過小而T5及T6過大. **有限公司 立碑形成之力矩原理： ? T 1 Tw T 2 T 3 Tw Tw : Chip Weight T1 : Solder 浮力 T3 : 上端點處Solder 拉力 T4 :下端點處Solder 拉力 **有限公司 可經由減少外側錫量達到減少Manhattan Defects之目的 除此之外也可以改變鋼版開孔之形狀,不同之形狀可以造成熔接時間點之明顯差異,分散作用力 立碑改善 – 鋼網開孔 Wp Ws Wp Ws1 SOL. 1 修改開孔大小 SOL. 2 改變開孔形狀 **有限公司 為減少Manhattan Defects,可在錫鉛合金中加入少量之Ag合金, 使EUTETIC作用力減少,分散在不同之溫度點及時間點 以下為Ag添加比例與 Manhattan發生比例之圖表,由實驗可知, 0.4%之Ag Alloy wt%會得到最好之效果 立碑改善 – Ag Alloy wt% Ag Alloy 添加 wt% Manhattan Defect Ratio (%) 62.8Sn/36.8/0.4Ag Max.wt% **有限公司 元件贴装偏移将会导致立碑。 对策： 调整贴装坐标，定期对各设备进行保养，减少贴装误差等。 立碑改善 – Placement **有限公司 锡膏接近回流时由于不平衡的润湿，在表面张力的作用下，形成立碑。 对策： 调整Reflow Profile，使其有足够的恒温时间，且流至焊接去的速度不可过急。 立碑改善 – Reflow Profile **有限公司 **有限公司 21 21 21 * *