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清华大学电子工程系99-11-12 作者：清华大学电子工程系 罗嵘 * * 习题8 10-9 第五章 集成逻辑电路 5.1概述 5.1.1 MOS管的基本特性 5.1.2CMOS逻辑电路 5.2半导体存储器 5.2.1随机存取存储器 5.2.2只读存储器 5.3可编逻辑器件 5.3.1可编程逻辑阵列 5.3.2可编程阵列逻辑 5.3.3其它可编程逻辑器件 （P227-245；“电子线路基础”P77-97，P107） 5.1.1 MOS管的基本特性 MOS管：一种常用的绝缘栅场效应管，金属-氧化物-半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor) 原理：通过改变电场强度控制半导体导电能力。 特点：集成度高（芯片面积小，制造工艺简单，成本低）； 功耗低；工作速度略低（电容的充放电）。 分类： N沟道增强型MOS管（ENMOS）；N沟道耗尽型MOS管（DNMOS） P沟道增强型MOS管（EPMOS ）；P沟道耗尽型MOS管（DPMOS） S G D Al N+ N+ L B W 掺杂浓度低的P型硅片 SiO2绝缘层 耗尽层 S：源极 G：栅极 D：漏极 B：衬底 d：氧化层厚度 L：沟道长度 W：沟道宽度 高掺杂 70年代，L=10μm，d=0.1 μm 80年代，L=1μm，d=0.02 μm 90年代末，L=.15μm，d=6 nm d 电路符号 S G D B N沟道增强型MOS管的结构 S B D 若S与B不连在一起，VGS=0，则漏区和源区被P型衬底隔开，背靠背的两个PN结， iD=0 当VDS=0， VGS0时，电场E?多子?，少子? ? 形成耗尽层， VGS ? ? 耗尽层宽度? 当VGS= VTH时，形成反型层（P ? N） E B S G D N+ N+ + - + - VDS VGS iD N+ N+ 反型层 导电沟道 VGS ? ? E? ?反型层厚度? ，称为增强型 当VDS0时，将产生漏极电流iD，在导电沟道中产生压降， VGS最高， VGD最低 当VDS= VGS—VTH时，VGD= VTH，D极端的沟道厚度为0，沟道预夹断 当VDSVGS—VTH时，VGD= VTH，D极端的沟道厚度为0，沟道夹断 VDS S G D N+ N+ B + - + - VGS iD N+ N+ N+ N+ N沟道增强型MOS管的特性 输出特性：漏极电流（输出电流）iD随VDS（输出电压）的变化关系 VDS + - VGS - + iD iD VDS VGS? VDS =VGS—VTH 截止区： VGS VTH时，D与S之间还未形成导电沟道，如同断开的开关 可变电阻区： VGS VTH， VDS VGS—VTH时，D与S之间形成导电沟道，沟道未夹断， D与S之间可看作上一个受VGS控制的可变电阻 饱和区： VGS VTH， VDS VGS—VTH时，沟道预夹断， VDS ? ?形成夹断区， iD仅受VGS的影响， VGS? ? iD?，可看作导通的开关 转移特性：漏极电流（输出电流）iD随VGS的变化关系 VDS=C iD VGS VTH VTH称为阈值电压或开启电压，与衬底电压和掺杂浓度有关 VG VDD iD CL 源跟随器 iD VDS VDS =VGS VGS = VDD P1 P0 P2 P0：VCL=0，VDS=VDD，VG=0，截止 P1： VG=0? VDD ， VCL=0， VGS =VDS=VDD，导通，饱和区， 给CL充电， VCL? P2： VCL =VDD-VT ， VGS =VT，截止，CL充电停止，VCL VG，缺点1 VCL? ? iD ? ? Ron? ?工作速度? ，缺点2 漏极输出 P0：VCL=VDS=VDD，VG=0，截止 P1： VG=0? VDD ， VCL=VGS =VDS=VDD，导通，饱和区， CL放电， VCL? P2： VCL=VGS-VT ， VGS =VDD，可变电阻区， VCL? P3： VCL=VDS=0，CL放电停止 VCL ? ? iD 保持(P1 ?P2) ? iD ? (P2 ?P3) ，恒流放电 VG iD CL iD VDS VDS =VGS-VT VGS = VDD P1 P0 P2 P3 5.1.2CMOS逻辑电路（P237-245）：反相器，传输门 CMOS：互补对称式金属-氧化物-半导体电路 Complementary-symmetry Metal Oxide Semiconductor CMOS反相器的电路结构 M1 M2 VO VI VDD iD 设M1 的开启电压为VTP，M2的开启电压为VTN 特点：无论VI为高电平或低电平，M1和M2总有一个导通，一个截止