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结晶矽太阳电池生产流程二
結晶矽太陽能製造流程 * 蝕刻、清洗 磷擴散 結晶矽太陽電池生產流程(一) 由於太陽電池基本上是一種利用光產生電的元件,因此在光方面所要求的不外乎能吸收更多的入射太陽光,儘量減少反射﹑角度﹑波長_.等等因素的限制; 為了達到增加光吸收的目的,直接利用texture的蝕刻技術將矽晶片蝕刻成粗糙表面,降低表面反射以增加光吸收, 而且不另加做 polish蝕刻來消除晶片表面切割的damage以簡化製程。蝕刻後的矽晶片其反射率可由30-40% 降至10-20%。 Texture 蝕刻 由於太陽光入射於太陽電池後光強度大約與距離(深度; x) 呈指數(exp(-x/L))衰減,因此大部分的電子電洞會產生於太陽電池表面,若能有效的將這些電子電洞移走就能產生較大的電流,而對太陽電池來說最好的移走方法便是利用pn接面(junction)形成後,所存在空乏區中之電場 磷擴散 鍍抗反射膜 網印電極 快速熱處理 結晶矽太陽電池生產流程(二) 單晶矽太陽電池製程步驟例(I) 1. 清洗蝕刻 2. 磷擴散 P-type wafer 3. 鍍抗反射層 4. 網印 5. 燒結 單晶矽太陽電池製程步驟例(II) * * *
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