11-48-zch08、场效应管及放大4.ppt

模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 章目录 引言 8 场效应管及其放大电路 8.2 结型场效应管 8.2.1 结型场效应管的结构和工作原理 (2) 工作原理 综上分析可知 8.2.2 结型场效应管的特性曲线及参数 8.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 (a) 输出特性及特性方程 (b) 转移特性 8.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 8.1.4 MOS场效应管的主要参数 MOS晶体管工作原理小结 MOS共源电路的电压传输特性 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 分析思路 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 例8.3.4 例8.3.1 8.3.2 场效应管的微变等效电路 1. 场效应管的低频小信号等效模型 2. 场效应管的高频小信号等效模型 3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路的动态分析 例8.3.2 (2) 共漏极放大电路的动态分析 例8.3.4 4. 场效应管三种放大电路的性能比较 教学基本要求 掌握结型场效应管的工作原理和特性曲线，了解其主要参数 了解MOS场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数 了解FET放大电路的静态偏置特点及求解思路 掌握用小信号模型分析法分析动态性能 了解双极型三极管和场效应管放大电路的特点 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3.2 场效应管的微变等效电路 8.3.3 场效应管电流源 8.3.4 场效应管差分放大电路 ? ? ? ? 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 VP 两个要点： 1、合适的静态工作点 2、叠加原理的应用 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 1. 直流偏置电路 （b）分压式自偏压电路 分压式射极偏置电路 耗尽MOS管 结型场效应管 增强MOS管 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 1. 直流偏置电路 （b）分压式自偏压电路 （a）自偏压电路 耗尽MOS管 结型场效应管 图8.3.1 场效应管的两种偏置电路 8.3.1 场效应管放大电路的静态分析 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 2. 静态工作点的确定 公式估算法 公式估算法确定静态工作点(VGSQ 、IDQ和VDSQ)： 图解法 与半导体三极管放大电路类似 饱和区 转移特性方程 G、S偏置方程 沟道所在回路KVL方程 耗尽MOS管 结型场效应管 增强MOS管 分压式 自偏压电路 自偏压电路 对于N沟道增强型场效应管，如果计算出的VDSQ＞VGSQ?VT，说明该场效应管工作在饱和区。 共漏极电路如图8.3.8所示，其中场效应管为N沟道结型 场效应管。已知Rg1=2M?，Rg2=47k?，Rg3=10M?，Rd=30k?，R=2k?，VDD=18V，场效应管的VP=?1V，Kn=0.5mA/V2，且?=0。 试确定Q点，并计算电压增益、输入电阻和输出电阻。 图8.3.8 例8.3.4电路 解： ① 首先计算Q点 VGSQ = 0.4 ? 2IDQ 设场效应管工作在饱和区 因 IDSS =0.5mA，所以IDQ = 0.31mA。 VGSQ= ? 0.22V， VDSQ= VDD?IDQ (Rd +R) =8.1V。 Kn＝IDSS/Vp2 解: 电路如图8.3.1b所示，已知Rg1=300k?，Rg2=200k?，Rd=5k?，R=0，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.5mA/V2，试计算电路的静态工作点的值。 图8.3.1（b） 由于VDSQ＞(VGSQ?VT) = (2?1)V = 1V，说明该场效应管确实工作在饱和区，上面的分析是正确的。 如果初始假设被证明是错误的，则必须重新假设，并重新分析电路。 设N沟道增强型MOS管工作在饱和区 增强MOS管 (1) 输出特性及特性方程 3. 特性曲线与特性方程 8.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 图8.1.3 N沟道增强型MOS管输出特性 ① 截止区 ② 可变电阻区 ③ 饱和区（恒流区、放大区） vGS VT ，没有导电沟道 ， iD＝0。 vGS＞VT，有沟道；但vDS≤ (vGS ? VT ) ，导电沟道未预夹断。 漏源之间可以看成受vGS控制的可变电阻 vDS≥ (vGS ? VT ) ，导电沟道预夹断后。 8.3 场效应管放大电路及模拟集成电路基础 (a) N沟道增强型MOS管 (b) 交流等效模型 图8.3.2 MOS管的低频