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W/Ti合金靶材的应用及其制备技术 目录 W/Ti合金靶材的应用 W/Ti合金扩散阻挡层 Al、Cu Si、SiO2 介质层 布线 扩散阻挡层 布线技术 扩散阻挡层 阻挡金属的扩散 改善金属薄膜与基体的结合强度 W/Ti合金靶材的应用 扩散阻挡层 稳定型 1 稳定型阻挡层与它两边的物质基本不反应,阻挡层本身保持化学成分基本不变; 2 反应型阻挡层与两边的物质中的一种或两种反应,其最终被消耗尽,而丧失阻挡作用; 反应型 3 在稳定型和反应型 扩散阻挡层中,当晶界和其它的结构缺陷作为快速扩散通道,使扩散阻挡层失效,在这些扩散的通道中引入填充原子。 填充型 W/Ti合金靶材的应用 稳定的热机械性能、低的电子迁移率、 高的抗腐蚀性能和化学稳定性 阻挡扩散 阻止晶界扩散 Ti W W/Ti合金靶材的应用 W/Ti/N薄膜 光催化剂材料、气敏传感器 W/Ti（90%）合金靶材 这些薄膜具有高强度、高熔点和良好的耐蚀和耐磨性能,具有良好的阻挡性能和广泛的应用前景。 由W/Ti靶材制备的TiO2-WO3薄膜是光催化剂材料,即使在黑暗的环境中也能保持防腐和杀菌性能,同时W-Ti-O还是一种良好的气敏传感材料。 金属Ti在生物医学应用方面具有较好的耐腐蚀性能,与W形成的W/Ti合金因为W的加入而具有较好的耐磨性能,同时W的加入还增加植入体和原组织之间的应力分配从而达到应力平衡。而且W不会减少Ti的生物活性。 W/Ti合金靶材性能要求 影响W/Ti靶材的主要因素 薄膜的碱金属含量 薄膜的成分组成 薄膜的电阻率 电迁移 粒子污染 粒子：溅射靶受到高能离子轰击时产生的大尺寸的靶材颗粒或微粒,或成膜之后膜材受二次电子轰击出来形成的微粒。 W/Ti合金靶材性能要求 相对密度的影响 W/Ti合金靶材致密度越高即孔隙度越低,溅射镀膜后产生的薄膜粒子数越少, 薄膜的性能越好。靶材相对密度与制备过程中的温度、压力，烧结时间等工艺条件相关。 W/Ti合金靶材性能要求 金属纯度的影响 W/Ti合金靶材金属纯度越高,溅射镀膜后薄膜粒子数越少;同时靶材碱金属(Na, K, Li)含量对薄膜电迁移影响很大。 W/Ti合金靶材性能要求 目前国外大型公司能生产高纯度的W/Ti合金靶材,例如MRC公司生产的ULTRA, ULTRA 2,ECLIPSE 3种W/Ti合金靶材,如表1所示。 W/Ti合金靶材性能要求 显微组织的影响 富Ti固溶体β1(Ti, W)相；富W固溶体β2(Ti, W)相 W/Ti合金靶材性能要求 β1(Ti, W)相含量越少，用其镀膜后产生的粒子数越少 Wichersham C E等发明制备含β1(Ti, W)相少或者不含该相的W/Ti合金靶材,该靶材用于溅射镀膜产生的薄膜粒子数少于0.25 particles·cm-2。 W/Ti合金靶材性能要求 a制备温度最低,基本不含β1(Ti, W)相; c制备温度最高,含β1(Ti, W)相最多 W/Ti靶材的制备方法 真空热压法 在真空条件下,将粉末装在模腔内,在加压的同时使粉末加热,经过较短时间的热压形成致密均匀的制品。真空热压技术能在较低温度下制备非常致密的材料,并且材料具有组织均匀、强度高等优点。 Dunlop J利用真空热压法,混合高纯度的W粉和TiH2粉(或是高纯度TiH2粉和Ti粉的混合物),控制热压温度1350~1550℃,压力5~30 MPa,制备W/Ti合金靶材,该靶材的相对密度可达到95%~100%,气体含量少于850×10-6,碳含量少于100×10-6,用其镀膜后产生的薄膜粒子数少。 惰性气体热压法 W/Ti靶材的制备方法 真空和惰性气体热压法,前者对真空度的要求较高,同时制备温度偏高;而后者在惰性气氛下烧结,烧结温度有所降低,且能够得到单一相的W/Ti合金,能够更好地满足做靶材的需求。热压法能够制备高密度和单一相的合金靶材,但是对制备大尺寸、形状复杂的靶材存在一定的难度。 热等静压法 W/Ti靶材的制备方法 在高温高压密封容器中，以高压氩气为介质，对其中的粉末或待压实的烧结坯料(或零件)施加各向均等静压力，形成高致密度坯料(或零件)的方法。 优点： 不受模具强度限制，可选择更高压力 压力贡献不受尺寸影响 胚体可在较低温度下致密化 热爆炸固结燃烧合成法 W/Ti靶材的制备方法 爆炸成形(EC)就是利用炸药爆炸时在极短的时间内(几微秒)产生的巨大压力(106MPa)来压制粉末,制成相对密度很高的压坯。 缺点：由于在瞬间完成,所以组成相之间几乎没有扩散,而且晶粒来不及长大。样品往往密度均匀性差并伴有严重的裂纹。 将粉末进行预热 热爆炸成形(HEC)：减小了生长应力,增加了延展性,通过热量的作用使材料软化有利于更好地成形。 总结 W/Ti靶材在微电子等方面具有良好应