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第三章热氧化-H-1.pdf

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第四章 热氧化 Thermal Oxidation §3.1 引言 §3.2 SiO2 的结构、性质及应用 §3.3 热氧化生长动力学 §3.4 热氧化方法 §3.5 Si/SiO2界面特性 §3.6 二氧化硅质量测量方法 §4.1 引言 问题1:为什么硅是目前所有半导体材料中应用 最为成功的材料? Si有一系列的硅基材料: Si

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