微电子领域前沿热点.ppt

* 微电子领域前沿热点 20年来集成电路制造技术迅猛发展，从5μm技术经历9代发展到当前的0.18μm技术。0.18μm技术已于1999年底投入大规模生产，0.13μm技术投入的时间表已经确定在2002－2003年。作为集成电路技术水平的标志，存储器（DRAM）规模已经达到4Gbit，并正在向16Gbit突破；而微处理器（CPU）的时钟频率已达到600MHz，并正在向1GHz突破。集成电路的生产水平在2006年左右将进入亚0.1μm，2012年可望达到0.05μm。而0.1μm以下尺寸的制造技术研发成为当前微电子领域最为引人注目的热点。 制造技术水平向0.1μm逼近，标志着人类加工能力即将进入一个空前的高度，整个微电子领域的前沿热点从制造技术、器件物理、工艺物理到材料技术等各方面随之全面进入0.1μm以下的纳米领域。 一、新一代微细加工技术的选择 集成电路的发展一直遵循着“摩尔定律”和“按比例缩小定律”，即集成电路每3年更新一代，每一代器件特征尺寸缩小1/3，电路规模提高4倍，而单位功能成本呈指数下降。正是由于器件尺寸不断按比例缩小，使得集成电路在规模和性能成倍提高的同时，能够保持成本的稳定，从而使得集成电路产品的更新能够迅速地为市场所接受，这直接导致了全球半导体市场规模的急速扩张。因此，器件特征尺寸成为每一代集成电路技术的特有表征，而微细加工技术在微电子技术发展中一直发挥着关键性的作用。 在微细加工技术中，最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术、光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。 目前国际微电子领域最引人关注的热点就是新一代光刻技术的选择。随着加工尺寸向0.1μm逼近，能否突破0.1μm成为一直占据主流地位的光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。更短波长光源（如193nm波长的ArF准分子激光、157nm波长的F2准分子激光等深紫外光源）、新透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术成为首先需要解决的问题；同时，由于光刻尺寸要小于光源波长，使得移相和光学邻近效应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技术。在光学光刻技术努力突破分辩率“极限”的同时，替代学学光刻的所谓后光学光刻或称下一代光刻技术（NGL）的研究在近几年内迅速升温，这些技术包括；X射线光刻、极紫外（EUV）即软X射线投影光刻、电子束投影光刻、离子束投影光刻等。这些技术研究的目标非常明确，就是在0.1μm及更小尺寸的生产中替代现有的光学光刻技术。 二、纳米器件物理的限制与突破 CMOS器件是现有集成电路采用的一种主要的基础器件，随着器件尺寸进入0.1μm以下， 器件结构的微观特征日益显现，量子效应日渐突出，现有器件将遇到经典器件结构和物理方面的诸多限制。新一代微电子技术的进一步发展除了有赖于微细加工技术新的突破外，在器件物理和结构方面有许多问题有待深入研究，以寻求突破这些限制的途径，将以CMOS为基础的高性能集成电路延展至50nm甚至更小，这已成为微电子基础前沿领域的一大主要热点。该领域的研究内容主要有以下几个方面： （1）CMOS结构中栅氧化层厚度缩小到数纳米后，使得量子隧穿电流超过器件下正常工作所允许的范围。隧穿电流的限制使得栅介质厚度不得低于2nm，传统的SiO2薄膜已无法兼顾足够大的栅电容和足够小的隧穿电流，因而必须寻找新的高K栅介质材料以增加栅介质厚度，这方面已开展研究的材料（K在10到60之间）包括：Al2O3，ZrO2，HfO3，La2O3，ZrSiO4，HfSiO4，LaAlO3，SrTiO3等，但到今尚未取得突破性进展。 （2）目前采用的双多晶硅栅由于界面处存在0．5nm左右的耗尽区，它对栅电容减小的作用已不能忽略， 有必要寻找新的更高载流子浓度、功函数合适的栅电极材料，如金属、金属硅化物、GeSi合金等；另外，高场下半导体表面的量子化也附加一个等效厚度，使得上述问题更加突出。 （3）为抑制短沟道效应，控制S／D串联电阻，对高浓度超浅结的制备技术提出了严峻的挑战。 （4）布线延迟在整个电路延时中所占比例越来越大，使得Cu布线与低K介质的合用成为必需；但是，尽管Cu布线与低K介质的合用可以缓解下几代高性能IC的互连问题，在亚0.1μm以后，智能布线、芯片间的光互连、片内可兼容光互连、高温超导体、其他包括聚合物在内的导电材料也是需要着手考虑的选择。 （5）高密度集成中器件的自热效应及散热问题日益突出，有必要从器件结构、进一步降低电源电压及改变器件工作模式方面寻找新的出路。低电压、低功能耗成为未来超大规模集成电路的发展趋势。 （6）沟道长度的缩短已接近自由程，原有载流子平衡输运理论不再适用，加上沟