光电传感器应用技术 教学课件 ppt 作者 王庆有 第9章.pptVIP

第9章 CMOS光电图像传感器 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）图像传感器出现于1969年, 是一种用传统的芯片制造工艺将光敏阵列、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上制成器件，它结构简单、处理功能多、成品率高，价格低廉，有着广阔的应用前景。 CMOS图像传感器主要由光电二极管、MOS场效应管、放大器与开关等电路构成。因此，先学习MOS场效应管的基本原理 。 * 9.1 MOS与CMOS场效应管 9.1.1 MOS场效应管的基本结构 图9-1 MOS管的工艺结构 MOS场效应管（MOSFET）是一种单极性半导体器件。由衬底、源极S、漏极D和栅极G组成。其结构如图9-1所示，用轻渗杂的P型硅为衬底，在其上生成N+型源区S和N+型漏区D； 两个N+型区之间的部分称为沟道，沟道的长度为L，宽度为W；因此，这种场效应管又称为N沟道场效应管。 * MOS场效应管的物理模型结构如图9-2所示，随着Ug的增高，反型层厚度增加，导电能力也增强。 图9-2 MOS场效应管的结构 表明栅极电压对源、漏电极间电流的控制能力，即MOS场效应管具有双极性晶体管中，基极电流控制集电极电流的特点。在场效应管中漏极电流被栅极电位Ug控制