模拟电子_半导体物理_PN结.pptVIP

* * 单相桥式整流电路的波形图 单相脉动信号 * * 滤波电路-滤除交流分量 (1)滤波的基本概念 利用电抗性元件储能作用 （2）电容滤波电路 * * 单相桥式整流电容滤波电路及稳态时的波形 未接入负载是电容已经充为U2的最大值. D1D3导电 D2D4导电 RLC较大 输出电压不仅变得平滑了，而且平均值也变大了。 * * 5.4 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz 越小，稳压性能越好。 5.4.1 伏安特性 利用反向击穿特性，在一定的电流的范围内实现端电压不变。 符号 IZmin * * 齐纳击穿与雪崩击穿： 齐纳击穿：掺杂浓度很高（例如ND=NA=1018/cm3）的PN结 很薄，例如宽度只有0.04μm，只要对PN结加上 不大的反向电压，就可以产生很强的电场，例如 反压4V，场强可达106V/cm。强电场可将耗尽区 内原子共价键中的电子拉出，自由电子和空穴成 对产生，反向电流剧增。齐纳击穿电压较低。 雪崩击穿：掺杂浓度较低的PN结较厚，在较大的反向电压时 形成漂移电流的少子在耗尽区内获得加速，动能 越来越大，在反向电压大到漂移少子的动能足以 撞击出耗尽区内原子的共价键电子，产生自由电子 和空穴，新生电子又撞击出其他自由电子，反向 电流剧增。雪崩击穿电压较高（6V)。 * * （5）最大允许功耗 （1）稳定电压 VZ （2）电压温度系数 ?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ 、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 5.4.2稳压二极管的参数: * * 因此： 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其特性和普通二极管类似，但它的反向击穿是可逆的，不会发生“热击穿”， 而且其反向击穿后的特性曲线比较陡直，即反向电压基本不随反向电流变化而变化，这就是稳压二极管的稳压特性。 稳压二极管的主要参数为稳压值UZ和最大稳定电流IZM，稳压值UZ一般取反向击穿电压。 稳压二极管使用时一般需串联限流电阻，以确保工作电流不超过最大稳定电流IZM 。 * * 在下图稳压管稳压电路 中，R为限流电阻，RL为负载电阻，只要输入反向电压在超过 Uz的范围内变化，负载电压则一直稳定在 Uz。 * * 稳压管稳压电路（P150） （解决电源与负载的波动） 稳压二极管组成的稳压电路（利用负反馈） 并联型稳压电路 限流电阻 * * 5.4.3 PN结的结电容特性与变容二极管（略） PN结电容CJ包括势垒电容CT和扩散电容CD 即：CJ=CT＋CD 5.3.3.1 势垒电容CT 反偏电压变化引起耗尽区厚度变化，从而引起PN结中的电荷量变化，这种电容效应称为势垒电容。 式中：CT 表示势垒电容数值； Q 表示PN结的电荷量； vD 表示二极管的偏置电压 * * CT * * 5.3.3.2 扩散电容CD PN结正偏时，载流子在扩散过程中存在电荷积累，正偏电压大，积累电荷多，反之积累电荷少，这种电容效应称为扩散电容。 式中：τ表示非平衡载流子的平均寿命。 扩散电容效应的形成 * * 二极管正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小，这样，就相应地要有载流子的“充入”和“放出”。因此，积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化就可PN结的扩散电容CD描述。扩散电容反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中积累的情况。 CD是非线性电容，PN结正偏时，CD较大，反偏时载流子数目很少，，因此反向时扩散电容数值很小。一般可以忽略。 * * 5.4.4 PN结的温度特性（略） 1. PN结正向电压的温度系数 αvD 保持二极管正向电流不变，温度变化1℃所引起的vD 变化 αvD≈ -(1.9～2.5)mV/℃