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第七讲 表面分析方法II 表面成分与化合态 能谱分析 主要内容 掌握XPS和AES分析的工作原理； 会分析XPS和AES谱图； 掌握RBS的工作原理； 掌握SIMS的工作原理。 电子能谱 光电子能谱 俄歇电子能谱 离子中和谱 X射线光电子能谱的基本原理 X射线光电子能谱仪 化学位移 俄歇电子能谱(AES) 俄歇过程和俄歇电子能量 俄歇谱图 离子谱 离子散射谱 二次离子质谱 溅射中性粒子谱 致脱附离子角分布 综述 ?? 表面分析技术 综述 ?? 表面分析技术 综述 ?? 表面分析技术 综述 ?? 表面分析技术 综述 ?? 表面分析技术 小结 XPS和AES的关键是电子的跃迁方式，对XPS和AES的原理要一起记忆，在利用XPS定量分析元素比的时候，一定要考虑灵敏度因子； RBS的原理虽然简单，但其检测精度非常高，由于其价格昂贵，常用于半导体、多层膜以及超晶格等先进材料的表面分析； SIMS可以实现全元素分析，是目前常用的一种分析手段。 作业 XPS和AES分析的原理？ 从俄歇深度谱中我们可以观察到什么信息？ 如果我们想要知道一种元素在膜层某一个位置的含量，可以考虑用什么方法来检测？ 参考文献 《材料物理学概论》，李言荣，清华大学出版社，第1版，第二章； 《材料物理》，王国梅，武汉理工出版社，第12章低维材料结构； 《材料物理基础》，宗祥福，复旦大学出版社，第一版，第一章第二章晶体结构； 《固体的表面与界面》，孙大明，安徽教育出版社，第1章第2章。 离子散射谱 低能离子散射： 能量：0.1～10 keV 常用惰性气体：He+、Ar+ 等 准弹性散射：能量守恒、动量守恒；散射后离子能量与靶表面原子质量Ms有关 通过对散射离子能量分析可以求得试样原子的质量Ms，从而可以鉴别元素； 由于只考虑一次散射，低能离子散射反应的是最外表层的原子信息。 高能离子散射谱——RBS 离子束：1～30 MeV （He+） 束宽：1μm～10 μm 扫冲因子k：背散射后离子能量由E0 变为kE0； K的大小与原子质量、原子的电子结构及离子进入深度有关 卢瑟福背散射能谱分析 卢瑟福背散射（Rutherford Backscattering Spectrometry，简称RBS）在所有的表面分析技术中是最容易理解的，其理论基础是入射离子与靶原子核之间的大角度库仑散射：快速运动的入射离子受到静止的靶原子核的库仑排斥作用而散射。入射离子一般用?粒子（即氦离子），能量在MeV量级。 （1）入射离子与靶原子核发生弹性碰撞，损失一些能量，通过对散射离子的能量的测定可以定性确定靶原子的质量； （2）发生碰撞时，靶的原子浓度和散射截面决定了散射离子的产额，通过测定散射离子的产额可以定量确定靶的原子浓度； （3）入射离子在散射前、后穿透靶物质要损失一些能量，通过测定散射离子的能谱，可以确定靶原子沿着深度的分布。 通过测定散射离子的能谱，即可对样品中所含元素作定性、定量和深度分析。另外，散射还与晶体的好坏有关，通过测定沟道谱可以对样品的晶体性进行判断，进行缺陷测定等等。 Rutherford RBS可以进行以下工作： A、物理方面的应用，如：测定固体的电子阻止本领等； B、与沟道有关的应用，如：研究晶体中杂质原子的位置、表面非晶态和缺陷，以及晶体沟道及其精细结构等； C、分析材料表层的成分、结构、杂质的深度分布、薄膜等。详细可以分为以下几个方面： （1）表面杂质与吸附； （2）各种薄膜（外延层、沉积层、生长层）的成分和厚度； （3）薄膜反应； （4）表层的氧化、腐蚀等； （5）扩散和溶解度等； （6）离子注入以及注入冶金学； （7）溅射过程； （8）微离子束及其应用。 RBS分析的应用－定性分析 根据能谱中的位置，可以判断元素的种类。需要注意的问题是：由于被重元素散射的离子的能量比轻元素散射时高，当重元素在轻元素基体上，能谱不会重叠；但是当轻元素在重元素基体上，能谱则会重叠（右图）。 RBS分析的应用－厚度分析 上图给出了在Si片上有不同厚度的TaSi层的样品的RBS能谱。 Silicon TaSi 通过测量Ta峰或者Si平台的宽度，除以在单位厚度的TaSi薄膜中He+的能量损失，就可以得到TaSi层的厚度值。 Ta峰中，能量低的一端对应着TaSi/Si界面，能量高的一端对应着表面。 RBS分析的应用－厚度分析 薄膜很薄时，能宽很小，基本上是一个小峰。 在薄膜很薄时，以表面能量近似处理，总计数可以计算为： 这样，只要测得了RBS能谱，将窄峰进行积分，得到信号总计数就可以得到样品的厚度了。 RBS分析的应用－多层膜分析 利用程序模拟得到Si基片上Fe/Au多层膜的成分沿着深度的分布