2011半导体物理学试卷A.docVIP

南京理工大学课程考试试卷（学生用） 课程名称： 半导体物理学 学分： 3 大纲编号： 试卷编号： A 考试方式： 闭卷 满分分值： 100 考试时间： 120 分钟 组卷日期：2010年5 月 1 日 组卷教师（签字）： 张俊举 审定人（签字）： 钱芸生 学生班级： 学生学号： 学生姓名： 本次考试可能使用的常量和公式： 单位电荷1.6×10-19C 普朗克常数6.62× 10-34J·s 玻尔兹曼常数1.38×10-23·K-1 室温:300K ε0=8.854×10-12F/m； 二阶微分方程 的通解为 一、填空：（每空1分，共15分） 1 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于 结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成 和 等两种晶格结构。 2 半导体晶体中，电子的波函数为布洛赫波函数，其表达式为 。 3 空穴是一个等效概念。假设价带顶附近空态对应电子的波矢为k，速度为v(k)，有效质量为mn，那么相应的空穴的波矢为 ，速度为 ，有效质量为 。 4 导带电子浓度公式为，式中Nc为 ，Ec为 ，EF为 。 5利用电子输运中的动量关系，可以推导出电子的迁移率μn= qτn /mn*，式中τn 是电子的 ，mn*是电子的 。 6 热电效应自发现至今已有100多年的历史，它是指导体和半导体材料中存在温度梯度、电流时产生的一些现象。热电效应主要包括 、 、 等三种。 二、名词解释（每小题4分，共20分） 1 间接禁带半导体；2杂质补偿；3 简并半导体；4 间接复合；5雪崩击穿 三、简答（共4小题，合计28分） 1 请简述半导体的基本属性。（6分） 2 速度、有效质量是半导体中的重要概念，如图给出了GaN的能带结构，请比较a、b、c三个极点处导带电子的平均速度和有效质量的绝对值大小，并指出其正负号。（6分） 3请以n型半导体为例，简述什么是霍尔效应，画出其示意图，标出电流、电压和磁场方向。根据霍尔效应可以测量载流子浓度和迁移率，请描述其测量原理。(10分) 4 连续性方程是表示非平衡载流子随时间、空间分布的重要公式，过剩空穴的连续性方程为 请对公式右侧的各个分量予以详细解释说明。(分) 四、计算题（共4小题，37分） 1单晶硅中均匀掺入两种杂质：掺入硼1.5×1016cm-3，掺磷5×1015cm-3，试计算室温下(1)载流子浓度；(2)费米能级的位置；(3)电导率。已知室温下=1.5×1010cm-3，μn=1450 cm2/V·s，μp=500 cm2/V·s。分 2 截面积为10-2cm2，掺有硼、杂质浓度为2×1013cm-3的p型Si样品，样品内部加有强度为10V/cm的电场，求室温下：(1) 流过样品的电流密度和电流强度；(2)假设杂质完全补偿，再掺入多少浓度的磷，可使流过样品的电流密度降至最小。已知室温下=1.5×1010cm-3，μn=1450cm2/V·s，μp=500 cm2/V·s。（分） 3一块迁移率为μp=500 cm2/V·sn型硅样品，空穴寿命τp=5μs，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度(⊿p)0=1013cm-3，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3。(10分) 4 施主浓度ND = 101/cm3的n型单晶硅片主浓度N = 1018/cm3的型单晶硅片，求？若金属Mo，忽略表面态的影响，定性画出的能带示意图。已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV，εs=11.9，Nc=2.8×1019cm-3，Nv=1.0×1019cm-3金属Mo的功函数为WMo = 4.21 eV。（分） 第 页 共 2 页 第 页 共 2 页