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电磁场与电磁波期末复习资料 第一章 在直线坐标系中，过空间任意一点P（X0，Y0，Z0）的三个互相正交的坐标单位矢量ex，ey，ez分别是x，y，和z增加的方向，且遵循右手螺旋法则：ex×ey=ez、ey×ez=ex，ez×ex=ey A与B的点积为：A·B = (exAx+eYAy+ezAz)·(exBx+eyBy+ezBz) = AXBX + AYBY +AZBZ A与B的叉积为： A X B = (exAx+eyAy+ezAz) X (exBx+eyBy+ezBz) =ex(AyBZ -AZBY) + ey(AZBX - AXBZ) + ez(AXBY - AYBX) = 四、场的一个重要属性是他占有一个空间，他把物理状态作为空间和时间的函数来描述，而且，在此空间区域中，除了有限个点或某些表面外，该函数是处处连续的。若物理状态与时间无关，则为静态场；反之，则为动态场或时变场。 直角坐标系中梯度的表达式为： 哈密顿算符“”，在直角坐标系中： 哈密顿算符表示标量场的梯度u： 例 1.3.1已知= ，R = ||。证明： ； （2） ； （3）。 其中：表示对x、y、z的运算，， 表示对x’、y’、z的运算。 散度在直角坐标系中的表达式： 利用算符，可将div F 表示为： 九、利用哈密顿算符，可将rot F表示为： 上式亦可写成： 梯度的旋度恒等于0，旋度的散度恒等于0。 矢量场的散度和旋度都是表示矢量场的性质的量度，一个矢量场所具有的性质，可由他的散度和旋度来说明。而且，可以证明：在有限的区域V内，任一矢量场由它的散度、旋度和边界条件（即限定区域V的闭合面S上的矢量场的分布）唯一的确定，且表示为： 亥姆霍兹定理总结了矢量场的基本性质，其意义是非常重要的。分析矢量场时，总是从研究它的散度和旋度着手，得到的散度方程和旋度方程组成了矢量场的基本方程的微分形式；或者从矢量场沿闭合曲面的通量和闭合路径的环流着手，得到矢量场的基本方程的积分形式。 重要题目：第一章：1、23见附录 第二章 1、电流是由电荷做定向运动形成的，通常用电流强度来描述其大小，设在t时间内通过某一截面S的电荷量为 ，则通过该截面S的电流强度定义为： 对的两边取体积分，则有: 而 故得： 微分算符对场点坐标r求导，与源点坐标r’无关，故可将算符从积分号中移出，即： ，对左式两边取旋度，即： 上式左边括号内是一个连续标量函数，而任何一个标量函数的梯度再求旋度时恒等于0，故上式右边恒等于0，则得： 此结果表明静电场是无璇场。 将上式对任意曲面求积分，并利用斯托克斯定理，得： 上式表明，在静电场E中，沿任一闭合路径C的积分恒等于0，其物理含义是将单位正电荷沿静电场的任意一个闭合路径移动一周，电场力不做工。 利用散度定理，由式得： 安培环路定理的微分形式： 两端取积分： 应用斯托克斯定理：，上式为： 电位移矢量和电介质中的高斯定理： 电介质的本质关系： 磁场强度和磁介质中的安培环路定理：将真空中的安培定理推广到磁介质中，得： 将代入上式，得引入磁化效应的物理量，磁场强度H： 则上上上上式变为，磁场强度单位为A/m（安培/米） 例题：2、4、4见附录 麦克斯韦方程组的微分形式：结构方程：代入微分形式得： 理想导体表面的上的边界条件： 理想介质表面上的边界条件： 表2.7.1 电磁场的基本方程和边界条件： 基本方程 边界条件 说明 积分形式： 微分形式： 情况1 是边界条件的一般形式 情况2是两种煤质都不是理想介质的边界条件 情况3是理想导体的边界条件 单位矢量离开分界面指向煤质1 积分形式： 微分形式： 积分形式： 微分形式： 积分形式： 微分形式： 第三章 1、电位和电位差：电场强度矢量E可以表示为标量函数的梯度，即： 2、静电位的微分方程：在均匀、线性和各向同性的电介质中，是一个常数。因此将代入中，得： 故得： 即静电位满足标量泊松方程。若空间内无自由电荷分布，即，则满足拉布拉