计算机原理与汇编语言程序设计第8章　存储器系统.ppt

　　常用的刷新方式有三种。 　　(1) 集中刷新。集中刷新是在2 ms的时间内对全部存储单元集中一段时间进行刷新，刷新时读/写操作停止。 　　例如，一个512行的存储矩阵，读/写周期为0.5 ms，连续刷新512行需要256 μs(占512个读/写周期)。在一个刷新周期2 ms内含4000个读/写周期，实际分配是前3488个周期用于读/写操作或维持，后512个周期用于刷新，如图8-17所示。 　　这种刷新方式的优点是主存利用率高、控制简单；缺点是在集中刷新的这段时间内，主存不能进行正常的读写，也就是出现了“死区”。 图8-17 集中刷新 　　(2) 分散刷新。分散刷新是将每行存储单元的刷新分散到每个读/写周期内。 　　实际工作时，把存取周期分成两段，前半段用来读写或维持，后半段用来刷新，如图8-18所示。这种刷新克服了集中刷新出现“死区”的缺点，但它并不能提高存储器的工作速度。因为在每次读/写周期之后，都要有一个刷新时间，这样相当于原来的读写时间增加了一倍，反而使存储器的工作效率下降。 　　对512?×?512的存储器，假如原来存储器的读/写周期为0.5 μs，那么刷新的时间也是0.5 μs，采用分散刷新后存储器的读/写周期变为1 μs，读写速度下降了一半。而整个存储体的刷新只要512 μs就能全部完成，刷新太频繁。 图8-18 分散刷新 　　(3) 异步刷新。异步刷